[发明专利]半导体组件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体组件及其制造方法，所述半导体组件包含一硅基板、一第一钝化层及一第二钝化层，所述硅基板包含数个硅穿孔及数个导电柱，所述第一钝化层包含一平坦部及一环状部，所述环状部的高度低于所述导电柱的顶面的高度，所述第二钝化层覆盖在所述第一钝化层上，且所述第二钝化层的高度低于所述第一钝化层的环状部的高度。通过在所述硅基板的背面设置有所述第一及第二钝化层，蚀刻之后，所述第一钝化层仍包覆在所述硅基板的背面，可减少所述第一钝化层被蚀刻过深而延伸至所述硅基板的背面的机会，进而能降低半导体组件成品的电路短路风险，以提高制造良率。

主权项

一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：一硅基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；数个硅穿孔，自所述有源表面贯穿至所述背面；及数个导电柱，分别位于所述硅穿孔中，其中每一导电柱具有外露于所述背面的一外周面及一顶面；一第一钝化层，包含：一平坦部，覆盖在所述背面；及一环状部，包覆所述导电柱的外周面，其中所述环状部的高度低于所述导电柱的顶面的高度；及一第二钝化层，覆盖在所述第一钝化层上，且所述第二钝化层的高度低于所述第一钝化层的环状部的高度。