[发明专利]半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：

一硅基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；数个硅穿孔，自所述有源表面贯穿至所述背面；及数个导电柱，分别位于所述硅穿孔中，其中每一导电柱具有外露于所述背面的一外周面及一顶面；

一第一钝化层，包含：一平坦部，覆盖在所述背面；及一环状部，包覆所述导电柱的外周面，其中所述环状部的高度低于所述导电柱的顶面的高度；及

一第二钝化层，覆盖在所述第一钝化层上，且所述第二钝化层的高度低于所述第一钝化层的环状部的高度。

2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述第二钝化层与所述环状部之间形成有一环槽。

3.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述第二钝化层与所述环状部连接在一起。

4.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述第一钝化层的材料为聚酰亚胺、二氧化硅、氮化硅或聚对二甲苯。

5.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述第二钝化层的材料为苯并环丁烯、聚酰亚胺，且所述第一钝化层的材料相对所述第二钝化层的材料具有较低的蚀刻速度。

6.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述半导体组件还包含数个保护层，分别包覆在所述导电柱的外周面及所述第一钝化层的环状部之间，且所述保护层的高度等于所述环状部的高度。

7.一种半导体组件的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：将一硅基板置于一载板上，所述硅基板包含：一有源表面；及一背面，相反于所述有源表面，所述有源表面贴附在所述载板上；

在所述硅基板上形成数个硅穿孔，所述硅穿孔自所述有源表面贯穿至所述背面；

在各所述硅穿孔中制作一导电柱，其中每一导电柱具有外露于所述背面的一外周面及一顶面；

将一第一钝化层覆盖在所述背面及所述导电柱的外周面与顶面上，再将一第二钝化层覆盖在所述第一钝化层上，其中所述第二钝化层具有一平整的外表面；及

对所述第一及第二钝化层进行蚀刻，使所述第一钝化层形成：一平坦部，覆盖在所述背面；一环状部，包覆所述导电柱的外周面，其中所述环状部的高度低于所述导电柱的顶面的高度，及所述第二钝化层的高度低于所述第一钝化层的环状部的高度。

8.如权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二钝化层进行蚀刻的步骤前，所述第一钝化层的厚度小于所述第二钝化层的厚度。

9.如权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二钝化层进行蚀刻的步骤中，所述第一及第二钝化层进行等离子体干式蚀刻，使所述第二钝化层与所述第一钝化层的环状部之间形成有一环槽。

10.如权利要求7所述的半导体组件的制造方法，其特征在于：在所述第一及第二钝化层进行蚀刻的步骤中，所述第一及第二钝化层进行蚀刻液湿式蚀刻，使所述第二钝化层与所述第一钝化层的环状部连接在一起。