[发明专利]半导体装置和半导体装置的设计方法有效
| 申请号： | 201310443327.1 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715169A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 北浦智靖 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;陈炜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体装置和半导体装置的设计方法。该半导体装置包括：第一信号线，形成在半导体基板上所形成的第一配线层中，并且沿第一方向布置；第一和第二屏蔽线，形成在第一配线层中，沿第一方向布置在第一信号线的两侧，并且被赋予第一固定电位；以及多条第三屏蔽线，形成在半导体基板上所形成的第二配线层中，以第一配线宽度和第一配线间隔、沿几乎垂直于第一方向的第二方向、以与第一信号线以及第一和第二屏蔽线中的每一条部分重叠的方式来布置，并且被赋予第一固定电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一信号线，形成在半导体基板上所形成的第一配线层中，并且沿第一方向布置；第一和第二屏蔽线，形成在所述第一配线层中，沿所述第一方向布置在所述第一信号线的两侧，并且被赋予第一固定电位；以及多条第三屏蔽线，形成在所述半导体基板上所形成的第二配线层中，以第一配线宽度和第一配线间隔、沿几乎垂直于所述第一方向的第二方向、以与所述第一信号线以及所述第一和第二屏蔽线中的每一条部分重叠的方式布置，并且被赋予所述第一固定电位。
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