[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310400335.8 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456707A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 高金利;李长祺;赖逸少 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构具有一半导体元件，其包括一本体、数个导电通道及至少一填充物。该等导电通道贯穿该本体。该填充物是位于该本体内，其中该填充物的热膨胀系数与该本体和该等导电通道的热膨胀系数不同。藉此，可调整该半导体元件整体的热膨胀系数，减少翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一本体；数个导电通道，贯穿该本体；至少一容纳空间，贯穿该本体；及至少一填充物，位于该容纳空间内，其中该填充物的热膨胀系数与该本体和所述导电通道的热膨胀系数不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310400335.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合
