“赖逸少”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]堆迭式封装及其制造方法-CN201610668668.2在审
发明人：李志成;赖逸少;施佑霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种堆迭式封装及其制造方法。方法包括以下步骤。形成一封装结构，方法包括以下步骤。提供一第一基板。第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。于第一基板的第一表面上配置一芯片。于第一基板的第一表面上配置数个导电球。形成一封装体，包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。封装体具有数个开口并露出导电球。形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板，方法包括以下步骤。形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面。形成数个导电接点露出于介电结构的一第二介电表面。第一介电表面是相对于第二介电表面。第二基板的上表面包括第二介电表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。经由数个焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。
堆迭式封装及其制造方法

[发明专利]用于半导体装置的铜合金导线-CN201210500479.6无效
发明人：陈银发;林光隆;赖逸少;唐和明 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C22C9/05 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体装置的铜合金导线，所述铜合金导线包含20重量％至40重量％的锰、20重量％至30重量％的锌，或是20重量％至30重量％的锌及锰，及其余重量部分为铜。本发明通过在铜基材中加入上述特定重量比例且材料成本较低的锰及/或锌，可以改善铜导线与打线工艺相关的物化性质，例如降低线材熔点、改善线材的抗氧化性及抗腐蚀性，并使得线材在工作温度时具有更高的受热软化程度，同时也能降低导线材料成本。再者，由于铜合金导线的抗氧化性能的提升，故亦可在打线期间省略使用还原性保护气体，可以仅使用氮气，以避免发生工安问题。
用于半导体装置铜合金导线

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201310400335.8有效
发明人：高金利;李长祺;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构具有一半导体元件，其包括一本体、数个导电通道及至少一填充物。该等导电通道贯穿该本体。该填充物是位于该本体内，其中该填充物的热膨胀系数与该本体和该等导电通道的热膨胀系数不同。藉此，可调整该半导体元件整体的热膨胀系数，减少翘曲。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201310056183.4有效
发明人：李志成;赖逸少;施佑霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板、一第一半导体元件、一第二半导体元件以及一黏着层。第一半导体元件设置在基板上，第一半导体元件具有一侧面。第二半导体元件相邻于第一半导体元件设置在基板上，第二半导体元件具有相对于第一半导体元件的侧面的一侧面。黏着层设置在第一半导体元件和第二半导体元件之间，黏着第一半导体元件的侧面和第二半导体元件的侧面。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构-CN201310056493.6无效
发明人：陈银发;蔡宗岳;张效铨;陈灿贤;杨秉丰;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法及应用其制成的半导体结构。半导体结构包括载板及芯片。载板包括电性接点，而芯片包括导电柱。导电柱与电性接点结合成一体化结构，一体化结构具有凸缘。
半导体结构制造方法应用制成

[发明专利]光学模块构造-CN201210566835.4无效
发明人：邱建良;温安农;余声宏;何信颖;简钰庭;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开一种光学模块构造，包含一第一光学元件、一第二光学元件及一棱镜。所述棱镜是一截面形状为三角形或梯形的透镜，位于所述第一光学元件的光学作用部下方。所述棱镜具有一第一侧面、一第二侧面及一全内反射斜面，所述第一侧面上另设有一第一球面凸部，及所述第二侧面上另设有一第二球面凸部。所述第一光学元件所发射的光线经由所述第一球面凸部射入所述棱镜内成为平行光线，在所述全内反射斜面处转向90度后经由所述第二球面凸部射出所述棱镜成为聚焦收敛光线，并由所述第二光学元件所接收。本发明的所述棱镜可使光学元件的光线转向，其球面凸部可使光线的发散角度得到适当的修正。
光学模块构造

[发明专利]具参考标记的基板及其固定芯片方法-CN201210440987.X无效
发明人：沈卓颖;赖逸少;蔡宗岳;郑明祥;彭胜扬;张效铨;黄文贤;邱建勋;郭俊良;黄彦良 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种具参考标记的基板及其固定芯片方法，所述基板包括：多个芯片设置区；以及至少两种参考标记，分布于每一所述芯片设置区的至少一个角隅，每一参考标记对应一种摆放资讯。如此，一芯片设置装置可通过辨识参考标记而依照对应的摆放资讯进行每一芯片设置区的芯片摆放操作，进而以提供多元形状的芯片配置区域或不同的芯片摆放角度。
参考标记及其固定芯片方法

[发明专利]堆迭式半导体封装件-CN201210357830.0无效
发明人：赵兴华;翁肇甫;唐和明;叶勇谊;张惠珊;赖逸少;谢慧英 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种堆迭式半导体封装件包括第一半导体封装件、第二半导体封装件、第一横向散热件、第二横向散热件及直立散热件。第一半导体封装件具有外侧面及上表面。第二半导体封装件堆迭于第一半导体封装件的上表面上且具有上表面及外侧面。第一横向散热件设于第一半导体封装件的上表面与第二半导体封装件之间。第二横向散热件设于第二半导体封装件的上表面上。直立散热件连接于第一横向散热件且沿着第一半导体封装件的外侧面及第二半导体封装件的外侧面延伸。
堆迭式半导体封装

[发明专利]半导体光源模块、其制造方法及其基板结构-CN201210298689.1无效
发明人：黄彦良;蔡宗岳;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构。半导体光源模块包括一基板结构及一发光二极管。基板结构包括一基材、一第一导电迹线、一第二导电迹线及一填充材料。基材具有一第一表面、一第二表面及一贯穿开口。第一表面相对于第二表面。第一导电迹线自第一表面经由贯穿开口延伸至第二表面。第二导电迹线自第一表面经由贯穿开口延伸至第二表面。填充材料填充于贯穿开口内。发光二极管设置于第一表面之上，并电性连接第一导电迹线及第二导电迹线。发光二极管的投影范围涵盖贯穿开口。
半导体光源模块制造方法及其板结

[发明专利]用于半导体装置的导线构造及其制造方法-CN201210116996.3无效
发明人：唐和明;翁肇甫;叶昶麟;洪志斌;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种用于半导体装置的导线构造及其制造方法，所述导线构造包括先加热一含铟材料，使所述含铟材料熔化形成一含铟焊球；并提供一铜导线，所述铜导线具有一前端；以及，使所述铜导线的前端与所述含铟焊球相结合，以构成一导线构造。所述铜导线通过所述含铟焊球的媒介而结合在一芯片的一接垫上，因此可确保所述接垫的结构完整性，以便提升铜导线的打线工艺的加工质量及良率。
用于半导体装置导线构造及其制造方法

[实用新型]无外引脚半导体封装构造-CN201120532809.0有效
发明人：黄东鸿;蔡宗岳;张效铨;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无外引脚半导体封装构造，其包含：一芯片，具有一有源表面及数个焊垫；一导线架，具有数个第一接点，所述第一接点具有一打线用接垫位于所述芯片的周边、一延伸部形成在所述打线用接垫及重分布接点之间，及一重分布接点可以位于所述芯片的下方；数条导线，电性连接在所述芯片的焊垫及所述第一接点的打线用接垫之间；以及一封装胶材，包覆所述打线用接垫、芯片承接垫、导线及芯片。本实用新型可以利用第一接点来增加导线架的总接点数量，并提供重新分布焊垫位置的设计弹性。
外引半导体封装构造

[发明专利]半导体光源模块、其制造方法及其基板结构-CN201210115941.0无效
发明人：黄彦良;蔡宗岳;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体光源模块、其制造方法及其基板结构。半导体光源模块包括一基板结构及一发光二极管。基板结构包括一基材、一齐纳二极管及一填充材料。基材具有一贯穿开口。齐纳二极管设置于贯穿开口内。填充材料填充于贯穿开口。发光二极管设置于基板结构上，并电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖贯穿开口。
半导体光源模块制造方法及其板结

[发明专利]半导体光源模块及其制造方法-CN201210018053.7无效
发明人：黄彦良;彭胜扬;蔡宗岳;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种半导体光源模块及其制造方法。半导体光源模块包括一基板、一齐纳二极管及一发光二极管。基板具有一凹槽。齐纳二极管设置于凹槽内。发光二极管设置于基板上，并电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖凹槽。
半导体光源模块及其制造方法

[发明专利]半导体光源模块-CN201210017514.9无效
发明人：黄彦良;彭胜扬;蔡宗岳;赖逸少 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板、一发光二极管及一反射结构。基板具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔。贯穿孔贯穿第一表面及第二表面。发光二极管设置于第一表面上。反射结构设置于基板上，并位于发光二极管的周围。反射结构包括一封胶材料层及一反射层。封胶材料层覆盖部份的基板并填入贯穿孔。封胶材料层具有一倾斜侧壁。倾斜侧壁位于发光二极管的外围。反射层至少设置于倾斜侧壁上。
半导体光源模块

[发明专利]具有非导电层的半导体封装及其制造方法-CN201110170906.4无效
发明人：张效铨;唐和明;赖逸少;蔡宗岳 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种具有非导电层的半导体封装及其制造方法。制造方法包括以下步骤。首先，提供基板，基板包括多个芯片。然后，形成多个导电柱邻近芯片的主动表面。然后，形成非导电层完全包覆导电柱。然后，单一化基板。
具有导电半导体封装及其制造方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 35 条