[发明专利]具有气隙的半导体封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310264977.X | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103531548B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | T·S·尤林;B·J·卡彭特;B·P·维尔克森 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/28;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有气隙的半导体封装结构及其形成方法。封装结构（10、40）包括具有顶面（13、90）和底面（11、92）的封装衬底（12、75）。半导体管芯（18、78）具有顶面（19、94）和底面（17、96）。半导体管芯被安装到封装衬底。半导体管芯的底面与封装衬底的顶面相邻。气隙（29、74）在封装衬底的底面与半导体管芯的底面之间。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，包括：具有顶面和底面的封装衬底；以及具有顶面和底面的半导体管芯；其中：所述半导体管芯被安装到所述封装衬底；所述半导体管芯的底面与所述封装衬底的顶面相邻；所述封装衬底包括多个层，并且其中气隙在所述封装衬底中，在所述多个层的两个层之间；其中所述气隙具有延伸到所述封装衬底的顶面的孔，所述封装结构还包括所述孔中的插塞。
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