[发明专利]具有气隙的半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

具有顶面和底面的封装衬底；以及

具有顶面和底面的半导体管芯；

其中：

所述半导体管芯被安装到所述封装衬底；

所述半导体管芯的底面与所述封装衬底的顶面相邻；

所述封装衬底包括多个层，并且其中气隙在所述封装衬底中，在所述多个层的两个层之间；

其中所述气隙具有延伸到所述封装衬底的顶面的孔，所述封装结构还包括所述孔中的插塞。

2.一种形成封装结构的方法，包括：

将具有顶面和底面的半导体管芯附接到具有顶面和底面的封装衬底，其中所述半导体管芯的底面与所述封装衬底的顶面相邻；

在所述封装衬底中用可分解材料来生成气隙区域；

形成从所述气隙区域到所述封装衬底外部的孔；以及

通过所述孔去除所述可分解材料以在气隙区域中留下气隙，

其中所述附接步骤进一步的特征在于：在所述去除所述可分解材料的步骤之后进行。