[发明专利]半导体光调制器无效
| 申请号： | 201310252050.4 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103777377A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高木和久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种射出激光的形状为单峰的半导体光调制器。本发明的电场吸收型的半导体光调制器具备n型InP基板（2）、n型InP覆盖层（3）、透明波导层（4）、n型InP覆盖层（5）、光吸收层（6）、p型InP覆盖层（7）。由于光的吸收区域存在于在光波导中传播的光分布的端部，所以，不会破坏光分布（15）的单峰性，能够实现光的消光动作。因此，得到射出的激光（14）的形状保持为单峰的光调制器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制器 | ||
【主权项】：
一种半导体光调制器，其特征在于，具备：第一导电型的基板，在第一主面形成有第一电极；以及在所述基板的第二主面从所述基板侧依次叠层的第一导电型的第一覆盖层、透明波导层、第一导电型的第二覆盖层、光吸收层以及第二导电型的第三覆盖层，所述半导体光调制器具有：在所述层叠方向将从所述第三覆盖层到所述第二覆盖层的中途除去而形成的脊部；形成于所述脊部上部并且与所述第三覆盖层连接的第二电极。
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- 2010-03-30 - 2010-07-28 - G02F1/017
- 本发明涉及一种半导体全光偏振开关，用于解决现有光有源器件在下一代高速全光通信网的光分叉复用系统和光交叉互连系统中响应速度不足问题。本发明包括位于底座平台上的多量子阱层布拉格结构半导体光学元件、信号光光纤准直器、起偏器和检偏器。多量子阱层布拉格结构半导体光学元件是由衬底上外延生长的N个布拉格结构复合层构成的，每个复合层是由量子阱层和垒层组成，在多量子阱层一侧加有全反射膜。本发明的半导体全光偏振开关的响应波长在光通讯波段范围，并可以根据不同条件和要求制作对应的波长全光控制开关，实现超快开关动作，可应用于下一代高速全光通信网，直接在光层实现巨大流量信号的传输与路由。
- 一种制备高速电吸收调制器的方法-200810225782.3
- 张伟;潘教青;汪洋;朱洪亮 - 中国科学院半导体研究所
- 2008-11-12 - 2010-06-16 - G02F1/017
- 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
- 基于量子限制斯塔克效应的量子点光学调制器-200910026876.2
- 张家雨;王志兵;李君劲 - 东南大学
- 2009-05-27 - 2010-02-03 - G02F1/017
- 基于量子限制斯塔克效应的量子点光学调制器利用了量子点的量子限制效应，该光度调制器由四层薄膜顺序覆盖排列组成；自上至下，第一层为第一ITO的薄膜(1)，第二层为PVK薄膜(2)，第三层为SiO2薄膜(4)，第四层为第二ITO的薄膜(3)，第五层为玻璃基板(5)。从而可以通过改变加在薄膜上的电压而改变光的透过率。由于本发明提出的光的调制，开关和过滤作用，所以本发明可以用作通信领域的光开关，光度调制器和滤波器。
- 专利分类
