“西川智志”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果26个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光发送装置-CN201980084093.1有效
发明人：林周作;西川智志;秋山浩一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：光发送装置(1)具备第1多值光相位调制部(10)和第1半导体光放大部(30)。第1半导体光放大部(30)的第1活性区域(32)包括第1多量子阱构造。在将多个第1阱层(32a)的第1层数设为n1，将第1活性区域(32)的第1长度设为L1(μm)时，(a)n1＝5并且400≤L1≤563或者(b)n1＝6并且336≤L1≤470或者(c)n1＝7并、280≤L1≤432或者(d)n1＝8并且252≤L1≤397或者(e)n1＝9并且224≤L1≤351或者(f)n1＝10并且200≤L1≤297。
发送装置

[发明专利]光栅耦合器-CN202080107820.4在审
发明人： 西川智志;松浦雅広 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：光栅耦合器(1)具备第1光波导芯片(20)、第2光波导芯片(30)以及透明部件(40)。第1光波导芯片(20)包括第1基板(21)、第1波导光栅(25)以及第1芯片端面(20c)。第2光波导芯片(30)包括第2波导光栅(35)和第2芯片顶面(30a)。光栅耦合器(1)的使用波长范围内的光的光路在第1光波导芯片(20)的第1光入射出射面(20i)与第2光波导芯片(30)的第2光入射出射面(30i)之间被透明部件(40)填充。
光栅耦合器

[发明专利]多模干涉型光波导器件和光集成电路-CN201880098388.X有效
发明人：高林正和;阿部宪一;西川智志;秋山浩一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：多模干涉型光波导器件(1)具备：多模干涉波导(10)，包括第一反射面(15)；第一单模波导(20)，连接于多模干涉波导(10)；以及第二单模波导(21)，连接于多模干涉波导(10)、且与第一反射面(15)相向。因此，多模干涉型光波导器件(1)能够使光以进一步降低的光损耗从第一单模波导(20)传播到第二单模波导(21)。
干涉波导器件集成电路

[发明专利]光半导体元件及其制造方法-CN201880088214.5有效
发明人：堀口裕一郎;西川智志;秋山浩一;福永圭吾;外间洋平;铃木洋介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：具备：半导体基板(2)；第1半导体层(3)，设置于半导体基板(2)上；台面波导(44)，设置于第1半导体层(3)的主面上；埋入层(5)，以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式，覆盖第1半导体层(3)的上表面；以及台面构造(8)，设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界，一方的侧面被埋入层(5)覆盖，另一方的侧面露出，通过降低在埋入层(5)中发生的应力，例如，能够抑制向埋入层(5)发生裂纹，提高可靠性。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]光相位调制器-CN202080100735.5在审
发明人：高林正和;铃木洋介;西川智志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：光相位调制器(2)具备第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)。第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)包括第一2×2多模干涉波导(11)、第二2×2多模干涉波导(14)、一对第一支路波导(12、13)以及第一调制电极(15、16)。第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)的第一输出端口(输出端口17d)是针对第一2×2马赫曾德尔型光相位调制部(10)的第一输入端口(输入端口17a)的交叉端口。
相位调制器

[发明专利]集成光栅耦合器系统-CN202180022241.4在审
发明人：小岛启介;西川智志;J·克拉姆钦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种集成光栅耦合器系统包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一基板、第一光栅结构和包覆层，所述第一光栅结构由布置在所述第一基板上的第一光栅曲线形成，所述包覆层被形成为覆盖所述第一光栅结构，其中所述第一芯片包括第一波导，所述第一波导被配置为经由所述第一波导从第一端接收光束，并且使所述光束透射通过第二端；第二芯片，所述第二芯片具有第二基板和第二光栅结构，所述第二光栅结构由布置在所述第二基板上的第二光栅曲线形成，其中所述第二芯片被配置为从所述第一芯片的第二端接收所述光束，并且使所述光束从所述第二芯片的端部透射；以及公共块，所述公共块被配置为分别经由第一基台和第二基台安装所述第一芯片和所述第二芯片，其中所述第一基台和所述第二基台被布置为使得来自所述第一芯片的第二端的光束在所述第二芯片的顶部被接收。
集成光栅耦合器系统

[发明专利]半导体光集成元件-CN201880092469.9有效
发明人：松本启资;石村荣太郎;加治屋哲;西川智志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：半导体放大器和多个半导体激光器被单片集成于同一导电性的半导体基板，半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层通过第一电绝缘层及第二电绝缘层被电绝缘，该第一电绝缘层形成于半导体基板和多个半导体激光器的n侧包层之间，该第二电绝缘层形成于半导体放大器的n侧包层和半导体激光器的n侧包层之间，并且用于与多个半导体激光器的n侧包层电连接的n侧接触层设置于多个半导体激光器的n侧包层和所述第一电绝缘层之间，构成为n侧接触层和半导体放大器的p侧包层电连接。
半导体集成元件

[发明专利]光栅耦合器和集成光栅耦合器系统-CN202080072520.7在审
发明人：小岛启介;西川智志;林周作;铃木洋介;J·克拉姆钦;汤英恒 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种光栅耦合器，具有第一端和第二端，用于将光束耦合到芯片的波导，所述光栅耦合器包括：基板，所述基板被配置为从第一端接收光束，并且通过第二端发送光束，所述基板具有第一折射率n1；布置在基板上的具有弯曲的光栅线的光栅结构，所述光栅结构具有第二折射率n1，其中所述弯曲的光栅线具有线宽w和高度d，并且按间距Λ布置，其中第二折射率n2小于第一折射率n1；以及被配置为覆盖光栅结构的包覆层，其中所述包覆层具有第三折射率n3。光栅线的曲线被构造为使得发射射束被成形以用于高效地耦合到另一光学组件。所述曲线也可以是倾斜的以减少返回到波导中的耦合。
光栅耦合器集成系统

[发明专利]半导体光放大器及其制造方法、光相位调制器-CN201780082399.4有效
发明人： 西川智志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-10-02 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01S5/50 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光放大器，具备：串联地排列的多个光放大区域；无源波导区域，设置于光放大区域之间；以及第1及第2电极，设置于光放大区域的上表面，无源波导区域使相邻的光放大区域的第1电极之间及第2电极之间电气地绝缘，并且将相邻的光放大区域之间光学地连接，在半导体光放大器中，通过对相邻的光放大区域的第1电极与第2电极之间进行电连接，多个光放大区域被级联电连接，通过向多个光放大区域的排列的两端的光放大区域的供电，驱动多个光放大区域。
半导体放大器及其制造方法相位调制器

[发明专利]多模干涉型合波分波器以及使用其的光学元件-CN201780090461.4有效
发明人：高林正和;西川智志;秋山浩一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：将光引导到单模波导，并且抑制多模干涉型合波分波器中的反射返回光。具备：多模波导(1)，与第1端部连接的第1单模波导(2a)，与第1单模波导相向的第2单模波导(2c)，与第2端部连接的第3单模波导(2b)，与第3单模波导相向的反射面(4)，以及与侧端部连接的第4单模波导(5)。从第2或者第3单模波导入射的光在反射面反射，在第4单模波导的侧端部处的第1连接部(31)处成像。
干涉型合波分波器以及使用光学元件

[发明专利]光波导干涉仪和用于制造光波导干涉仪的方法-CN201710658167.0有效
发明人：小岛启介;王炳南;秋浓俊昭;秋山浩一;柳生荣治;西川智志;篠原弘介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及光波导干涉仪和用于制造光波导干涉仪的方法。光波导干涉仪包括第一光学部、第二光学部以及一组光波导，所述一组光波导被构造为连接第一光学部和第二光学部，以使得在第一光学部和第二光学部之间传播的光通过该组中的每个光波导，其中，该组光波导包括具有第一长度和第一宽度的第一光波导以及具有第二长度和第二宽度的第二光波导，其中，第二长度大于第一长度，第二宽度大于第一宽度。
波导干涉仪用于制造方法

[发明专利]光子集成电路及用于调节最大透射率波长的方法-CN201810242575.2有效
发明人：小岛启介;西川智志;秋浓俊昭;王炳南;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及光子集成电路及用于调节最大透射率波长的方法。一种具有布置在基板的顶侧上的分立光学部件的光子集成电路，包括：第一光源和第二光源，分别被配置为发射光束；第一干涉仪，具有第一输入端口和第二输入端口，第一输入端口和第二输入端口分别经由第一波导耦合到第一光源和第二光源；第二干涉仪，被配置为经由第二波导从第一干涉仪接收信号并组合该信号，以经由第三波导发送组合的信号；以及子基座，被配置为接触基板的背侧，其中该子基座包括具有第一热导率的第一热导体和具有第二热导率的第二导体，其中第一热导率大于第二热导率，并且第一光源和第二光源相比第二热导体而言更接近第一热导体。
光子集成电路用于调节最大透射率波长方法

[发明专利]宽幅半导体激光器元件-CN201710824226.7有效
发明人：鴫原君男;西川智志 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制高阶模式而不使滤光区域的长度变长的宽幅半导体激光器元件。宽幅半导体激光器装置的特征在于，具有波导通路区域和滤光区域。波导通路区域具有被注入电流的有源区域和夹着该有源区域的包层区域。将有源区域相对于滤光区域设为凸出或凹陷，促进滤光区域处的高阶模式的扩展。
宽幅半导体激光器元件

[发明专利]光调制器元件及其制造方法以及具备其的光调制模块-CN201710097803.7有效
发明人：堀口裕一郎;西川智志;秋山浩一;林周作;外间洋平;榎健太郎;田中俊行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供光调制器元件、具备该光调制器元件的光调制模块以及光调制器元件的制造方法，所述光调制器元件使芯片面积比以往缩小。光调制器元件具备第1、第2光调制器、光输入部以及分支耦合器，第1、第2光调制器分别具备：一组马赫－曾德尔型波导路；第1光耦合器，使来自分支耦合器的光分别分支到一组马赫－曾德尔型波导路；以及第2光耦合器，合成分别通过一组马赫－曾德尔型波导路的光，在第1、第2光调制器中，第1光调制器的一组马赫－曾德尔型波导路的光的行进方向与第2光调制器的一组马赫－曾德尔型波导路的光的行进方向被配置成相互带有角度。
调制器元件及其制造方法以及具备调制模块

[发明专利]复合光合波器-CN201610696132.1有效
发明人：小岛启介;王炳南;秋浓俊昭;西川智志;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本发明涉及复合光合波器。用于合并多个光信号的复合光合波器包括一组合波器。这组合波器包括至少一个偏振合波器，该偏振合波器光学地连接到至少一个非偏振合波器。非偏振合波器合并第一组输入信号并同时保持在第一组信号中的各个输入信号的偏振。偏振合波器合并第二组输入信号并同时变换在第二组信号中的至少一个输入信号的偏振。
复合光合

1
2
下一页»
尾页
共 26 条