[发明专利]光调制器和其制造方法无效
| 申请号： | 201110073630.8 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102200651A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 大和屋武 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光调制器及其制造方法。本发明的目的在于提供一种能减少光损失及驱动电压，且容易实现与半导体激光器的集成的光调制器。本发明的光调制器的特征在于，具有：调制区域，对光进行调制；以及无源区域，与该调制区域邻接，在该调制区域以及该无源区域形成有：半导体衬底；该半导体衬底上的n型包层；该n型包层上的核心层；以及该核心层上的p型包层，在该调制区域形成有：该p型包层；该p型包层上的接触层；以及该接触层上的P侧电极，在该无源区域中，在该核心层和该p型包层之间形成有无掺杂包层。 | ||
| 搜索关键词： | 调制器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光调制器，其特征在于，具有：调制区域，对光进行调制；以及无源区域，与所述调制区域邻接，在所述调制区域以及所述无源区域中，形成有：半导体衬底；所述半导体衬底上的n型包层；所述n型包层上的核心层；以及所述核心层上的p型包层，在所述调制区域中，形成有：所述p型包层；所述p型包层上的接触层；以及所述接触层上的P侧电极，在所述无源区域中，在所述核心层和所述p型包层之间形成有无掺杂包层。
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