[发明专利]封装基板、半导体封装件及其制法无效
| 申请号： | 201310059642.4 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972204A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张仕育;蔡国清 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装基板、半导体封装件及其制法，该封装基板包括：基板本体；第一绝缘保护层，其形成于该基板本体的表面上，其中，该基板本体的表面定义有一环绕该第一绝缘保护层的接合区，且该第一绝缘保护层的外缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.05毫米；以及第一线路层，其形成于该第一绝缘保护层下的基板本体的表面上，且具有多个延伸至该接合区内的第一电性接触垫。本发明可避免相邻两导电组件间因产生气洞而发生桥接现象，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种封装基板，其包括：基板本体；第一绝缘保护层，其形成于该基板本体的表面上，该基板本体的表面定义有一环绕该第一绝缘保护层的接合区，且该第一绝缘保护层的外缘侧壁与该接合区之间的距离大于或等于0.05毫米；以及第一线路层，其形成于该第一绝缘保护层下的基板本体的表面上，且具有多个延伸至该接合区内的第一电性接触垫。
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