[发明专利]增强的FINFET工艺覆盖标记有效
| 申请号： | 201210511012.1 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103681622A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 谢启文;张岐康;刘家助;陈孟伟;陈桂顺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种适用于制造非平面电路器件的覆盖标记以及形成该覆盖标记的方法。示例性实施例包括接收具有有源器件区域和覆盖区域的衬底。在衬底上形成一个或多个介电层和硬掩模。图案化硬掩模以形成被配置成限定覆盖标记鳍的硬掩模层部件。在图案化硬掩模层上形成间隔件。该间隔件进一步限定覆盖标记鳍和有源器件鳍。切割该覆盖标记鳍以形成用于限定覆盖计量的参考位置的鳍线端部。蚀刻介电层和衬底以进一步限定覆盖标记鳍。本发明还提供了增强的FINFET工艺覆盖标记。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 finfet 工艺 覆盖 标记 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源器件区域和覆盖标记区域；以及多个鳍，设置在所述衬底上的所述覆盖标记区域中，所述多个鳍中的每个鳍均包括纵向本体和鳍线端部，所述鳍线端部限定用于由覆盖计量系统实施的掩模覆盖分析的参考位置。
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