[发明专利]防止半导体集成电路中等离子体导致的栅极介电层损害的天线单元设计

摘要

本发明提供了一种防止等离子体增强栅极介电层失效的天线单元。天线单元设计利用多晶硅引线作为伪晶体管的栅极。多晶硅引线可以是一组平行内嵌的多晶硅引线中的一条。伪晶体管包括通过金属引线直接地或者通过钳低单元间接地耦合至保持在Vss的衬底的栅极。栅极设置在源极和漏极连接在一起的连续源极/漏极掺杂区上方的介电层上方。二极管由半导体衬底形成，其中，二极管形成在半导体衬底中。源极/漏极区耦合至可以是输入引脚的另一条金属引线并耦合至有源晶体管栅极，以防止等离子体增强对有源晶体管的栅极介电层的损害。防止半导体集成电路中等离子体导致的栅极介电层损害的天线单元设计。

主权项

一种半导体结构，包括：至少一个有源晶体管，具有有源多晶硅栅极；金属引线，耦合至至少一个所述有源多晶硅栅极；以及二极管，通过伪晶体管将所述金属引线耦合至Vss，所述伪晶体管包括设置在栅极介电层上方的伪多晶硅晶体管栅极，其中所述栅极介电层设置在连续源极/漏极掺杂区上方，所述二极管包括耦合至所述连续源极/漏极掺杂区的所述金属引线和耦合至所述Vss的所述伪多晶硅晶体管栅极。