[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210366786.X 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103035605A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 大月高实;小原太一;后藤章 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;李浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种适合于低成本化的半导体装置及其制造方法。本申请发明的半导体装置的特征在于,具备:绝缘基板;布线图形,形成在该绝缘基板上;半导体芯片,固定在该布线图形上;中继端子,以一端固定于该绝缘基板且另一端向该绝缘基板的上方延伸的方式由与该布线图形相同的材料形成,并且与该半导体芯片电连接;控制电路,与该中继端子电连接,发送该半导体芯片的控制信号。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘基板;布线图形,形成在所述绝缘基板上;半导体芯片,固定在所述布线图形上;中继端子,以一端固定于所述绝缘基板且另一端向所述绝缘基板的上方延伸的方式由与所述布线图形相同的材料形成,并且与所述半导体芯片电连接;以及控制电路,与所述中继端子电连接,发送所述半导体芯片的控制信号。
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