[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210366786.X 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103035605A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 大月高实;小原太一;后藤章 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;李浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

绝缘基板;

布线图形,形成在所述绝缘基板上;

半导体芯片,固定在所述布线图形上;

中继端子,以一端固定于所述绝缘基板且另一端向所述绝缘基板的上方延伸的方式由与所述布线图形相同的材料形成,并且与所述半导体芯片电连接;以及

控制电路,与所述中继端子电连接,发送所述半导体芯片的控制信号。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具备:功率端子,以一端固定于所述绝缘基板且另一端向所述绝缘基板的上方延伸的方式由与所述布线图形相同材料形成,并且与所述半导体芯片电连接。

3.一种半导体装置,其特征在于,具备:

绝缘基板;

布线图形,在所述绝缘基板上以具有第一布线图形、第二布线图形、第三布线图形的方式形成;

半导体芯片,固定在所述第一布线图形上;

中继端子,一端埋入到所述第二布线图形中且另一端向所述绝缘基板的上方延伸,并且与所述半导体芯片电连接;

控制电路,与所述中继端子电连接,发送所述半导体芯片的控制信号;以及

功率端子,一端埋入到所述第三布线图形中且另一端向所述绝缘基板的上方延伸,并且与所述半导体芯片电连接。

4.如权利要求1~3的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

具备由与所述布线图形相同的材料形成在所述绝缘基板上的控制电路用布线图形,

所述控制电路固定在所述控制电路用布线图形上。

5.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,具备:

背面图形,形成在所述绝缘基板的背面;以及

模塑树脂,以将所述背面图形的与所述绝缘基板相反的面、所述中继端子的另一端以及所述功率端子的另一端露出到外部的方式,覆盖所述绝缘基板、所述布线图形、所述半导体芯片、所述中继端子、所述控制电路以及所述功率端子。

6.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,具备:

背面图形,形成在所述绝缘基板的背面;

粘接底涂剂,形成在所述布线图形的表面和所述绝缘基板的表面;

模塑树脂,以将所述背面图形的与所述绝缘基板相反的面、所述中继端子的另一端以及所述功率端子的另一端露出到外部的方式,覆盖所述绝缘基板、所述布线图形、所述底涂剂、所述半导体芯片、所述中继端子、所述控制电路以及所述功率端子。

7.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述模塑树脂的线膨胀系数与所述布线图形的线膨胀系数相同。

8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

9.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,

所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料、或者金刚石。

10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

在模具的内部配置绝缘基板的工序,该模具具有用于在所述绝缘基板上形成布线图形的布线图形用空腔和用于形成从所述绝缘基板向上方延伸的中继端子的中继端子用空腔;

使铝流入到所述布线图形用空腔和所述中继端子用空腔中的铝注入工序;以及

对所述铝进行冷却的工序。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述模具具有用于形成从所述绝缘基板向上方延伸的功率端子的功率端子用空腔,

在所述铝注入工序中,向所述功率端子用空腔中注入铝。

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