[发明专利]自对准双重图形的形成方法有效
| 申请号： | 201210333005.7 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681234A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 祖延雷;胡华勇;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层进行固化；在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层。由于所述牺牲光刻胶层进行固化后，牺牲光刻胶层的硬度提高，形成第一掩膜图形过程中的第一掩膜材料层产生的应力不会使得牺牲光刻胶层发生形变，使得牺牲光刻胶层的侧壁依然垂直于待刻蚀材料层表面，使得后续形成于所述牺牲光刻胶层侧壁表面的第一掩膜图形的侧壁垂直于待刻蚀材料层表面，最终对待刻蚀材料层进行刻蚀形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层进行固化；在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
