[发明专利]自对准双重图形的形成方法

权利要求书

1.一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀材料层；

在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；

将所述牺牲光刻胶层进行固化；

在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形；

去除所述牺牲光刻胶层。

2.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述固化工艺为离子注入固化工艺，利用所述离子注入固化工艺将牺牲光刻胶层中顶部和侧壁的光刻胶变为固化光刻胶外壳。

3.如权利要求2所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述离子注入固化工艺中注入的离子为H、B、BF₂、BF₃、BF₄、P、As、In、C、Ge其中的一种或几种的组合。

4.如权利要求3所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述离子注入固化工艺中注入的剂量范围为10E13atom/cm²~10E16atom/cm²，注入的能量范围为1KeV~500KeV，注入的角度范围为-70度~70度。

5.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲光刻胶层的工艺包括：在所述待刻蚀材料层表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影，形成牺牲光刻胶层。

6.如权利要求5所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的工艺包括：在所述待刻蚀材料层、牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层，对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，在所述牺牲光刻胶层侧壁形成第一掩膜图形。

7.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲光刻胶层的工艺包括：在所述待刻蚀材料层表面形成底部抗反射层，在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影，形成牺牲光刻胶层。

8.如权利要求7所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的工艺包括：在所述底部抗反射层、牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层，对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，在所述牺牲光刻胶层侧壁形成第一掩膜图形。

9.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲光刻胶层的工艺包括：在所述待刻蚀材料层上形成底部抗反射层，在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影，形成牺牲光刻胶层，以所述牺牲光刻胶层为掩膜，对所述底部抗反射层进行刻蚀，形成牺牲底部抗反射层。

10.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲光刻胶层的工艺包括：在所述待刻蚀材料层上形成可溶于显影液的底部抗反射层，在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层，对所述底部抗反射层和光刻胶层进行曝光显影，形成牺牲底部抗反射层和位于所述牺牲底部抗反射层表面的牺牲光刻胶层。

11.如权利要求9或10所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形的工艺包括：在所述待刻蚀材料层表面、牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面、牺牲光刻胶层的顶部表面形成第一掩膜材料层，对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，在所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形。

12.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜图形的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氮化钽其中的一种或几种。

13.如权利要求1所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，还包括，在所述待刻蚀材料层表面形成第二掩膜材料层，在所述第二掩膜材料层上形成牺牲光刻胶层。

14.如权利要求13所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜图形后，以所述第一掩膜图形为掩膜，对所述第二掩膜材料层进行刻蚀，形成第二掩膜图形。

15.如权利要求14所述的自对准双重图形的形成方法，其特征在于，去除所述第一掩膜图形，以所述第二掩膜图形为掩膜，对所述待刻蚀材料层进行刻蚀。