[发明专利]具有电阻测量结构的三维集成电路及其使用方法有效
申请号: | 201210270706.0 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN103219322A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 陈卿芳;陆湘台;林志贤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G01R27/08 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种三维集成电路(3DIC)包括具有至少一个有源器件的顶部芯片和具有导电布线层和通孔的中介层。3DIC进一步包括:多个导电连接器,被配置成电连接顶部芯片和中介层。3DIC进一步包括:顶部芯片或中介层中的至少一个上方的导电线。导电线沿着平行于顶部芯片或中介层的外部边缘的顶部芯片或中介层的周长设置。导电线被配置成电连接导电连接器。3DIC进一步包括:位于顶部芯片或中介层中的至少一个上方的至少一个测试元件。测试元件被配置成电连接至多个导电连接器。本发明还提供了一种具有电阻测量结构的三维集成电路及其使用方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 电阻 测量 结构 三维集成电路 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种三维集成电路(3DIC),包括:顶部芯片,其中,所述顶部芯片包括至少一个有源器件;中介层,其中,所述中介层包括导电布线层和通孔;多个导电连接器,其中,所述多个导电连接器被配置成电连接所述顶部芯片和所述中介层;至少一条导电线,位于所述顶部芯片或所述中介层中的至少一个上方,其中,所述至少一条导电线沿着基本与所述顶部芯片或所述中介层中的至少一个的外部边缘平行的所述顶部芯片或所述中介层中的至少一个的周长设置,并且所述至少一条导电线被配置成电连接所述多个导电连接器;以及至少一个测试元件,位于所述顶部芯片或所述中介层中的至少一个上方,其中,所述至少一个测试元件中的每个被配置成电连接至所述多个导电连接器。
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