[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210072269.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311201A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;万颖 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，包括多层内层金属层、处于最外层的顶层金属层以及介于多层内层金属层之间和介于内层金属层和顶层金属层之间的层间介质，所述顶层金属层包括由内向外依次层叠于层间介质上的粘附层和铝铜合金层，且所述粘附层的厚度为60～80纳米，所述铝铜合金层的厚度为4～4.4微米。还公开一种制造上述半导体结构的方法。上述半导体结构可以减少封装线与顶层金属剥离的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括多层内层金属层、处于最外层的顶层金属层以及介于多层内层金属层之间和介于内层金属层与顶层金属层之间的层间介质，其特征在于，所述顶层金属层包括由内向外依次层叠于层间介质上的粘附层和铝铜合金层，且所述粘附层的厚度为60～80纳米，所述铝铜合金层的厚度为4～4.4微米。
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