[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210072269.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311201A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;万颖 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括多层内层金属层、处于最外层的顶层金属层以及介于多层内层金属层之间和介于内层金属层与顶层金属层之间的层间介质，其特征在于，所述顶层金属层包括由内向外依次层叠于层间介质上的粘附层和铝铜合金层，且所述粘附层的厚度为60～80纳米，所述铝铜合金层的厚度为4～4.4微米。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层包括层叠的厚度为40纳米的钛层和厚度为40纳米的氮化钛层，所述铝铜合金层的厚度为4.4微米。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层中，所述氮化钛层层叠于所述钛层之上。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层包括厚度为60纳米的氮化钛层，所述铝铜合金层的厚度为4微米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层包括厚度为60纳米的氮化钛层，所述铝铜合金层的厚度为4.4微米。
6.一种半导体结构的制造方法，包括：
形成功能层；
在功能层上依次间隔地形成多层内部金属层、顶层金属层和层间介质，所述层间介质介于多层内层金属层之间和介于内层金属层与顶层金属层之间；
所述形成顶层金属层的步骤包括：
在层间介质上形成厚度为60～80纳米的粘附层；
在所述粘附层上形成厚度为4～4.4微米的铝铜合金层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在层间介质上形成厚度为60～80纳米的粘附层的步骤具体为：在层间介质上形成厚度为40纳米的钛层；在所述钛层上形成厚度为40纳米的氮化钛层；所述在粘附层上形成厚度为4～4.4微米的铝铜合金层的步骤具体为：在所述氮化钛层上形成厚度为4.4微米的铝铜合金层。
8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在层间介质上形成厚度为60～80纳米的粘附层的步骤具体为：在层间介质上形成厚度为60纳米的氮化钛层；所述在粘附层上形成厚度为4～4.4微米的铝铜合金层的步骤具体为：在所述氮化钛层上形成厚度为4微米的铝铜合金层。
9.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在层间介质上形成厚度为60～80纳米的粘附层的步骤具体为：在层间介质上形成厚度为60纳米的氮化钛层；所述在粘附层上形成厚度为4～4.4微米的铝铜合金层的步骤具体为：在所述氮化钛层上形成厚度为4.4微米的铝铜合金层。
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