[发明专利]导电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210052495.3 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103123917A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 沈更新;齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于一半导体芯片的导电结构，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，衬垫设置于半导体基材上，保护层设置于半导体基材及衬垫上以使衬垫暴露出一第一开口，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，第一开口大于第二开口，导电结构包含：一凸块下金属层，设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接；以及一导电凸块，设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接，其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，其中导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。
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