[发明专利]导电结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于一半导体芯片的导电结构，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，衬垫设置于半导体基材上，保护层设置于半导体基材及衬垫上以使衬垫暴露出一第一开口，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，第一开口大于第二开口，导电结构包含：

一凸块下金属层，设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接；以及

一导电凸块，设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接，

其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，其中导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，导电凸块的上表面高于图案化绝缘层的上表面约2至5微米。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，图案化绝缘层为聚酰亚胺、阻焊层、苯环丁烯或硅氧烷聚合物。

4.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，图案化绝缘层的厚度约2至20微米。

5.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，导电凸块为金、铜、银、镍或其合金所制成。

6.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，导电凸块为一导电高分子凸块。

7.如权利要求6所述的导电结构，其特征在于，导电高分子凸块为印刷(Printing)或点胶方式所形成。

8.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，凸块下金属层包含：

一第一导体层，设置于第二开口内并与衬垫电性连接；以及

一第二导体层，设置于第一导体层上并与第一导体层电性连接。

9.如权利要求8所述的导电结构，其特征在于，第一导体层为一钛、钨、钒或其合金所制成。

10.如权利要求8所述的导电结构，其特征在于，第二导体层为金、铜、银或其合金所制成。

11.一种导电结构的形成方法，包含：

形成一图案化绝缘层于一半导体芯片的一保护层上并局部且直接覆盖于一衬垫的一第一开口上，以使衬垫暴露出一第二开口，第一开口大于第二开口，其中半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫及一保护层，衬垫设置于半导体基材上，保护层设置于半导体基材及衬垫上，以使衬垫暴露出第一开口；

形成一凸块下金属层，覆盖图案化绝缘层及第二开口以与衬垫电性连接；

形成一导电凸块于第二开口中以与凸块下金属层电性连接，其中凸块下金属层包覆导电凸块的一周围；以及

去除凸块下金属层位于第二开口外的一外部区域层，使导电凸块的一上表面高于凸块下金属层的一上表面，且导电凸块位于第二开口内的区域被凸块下金属层所包覆。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成一图案化绝缘层的步骤更包含固化图案化绝缘层的步骤。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，导电凸块的上表面高于图案化绝缘层的上表面约2至5微米。

14.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，导电凸块为电镀方式所制成。

15.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成一凸块下金属层的步骤包含：

形成一第一导体层以覆盖图案化绝缘层及第二开口并与衬垫电性连接；以及

形成一第二导体层以覆盖第一导体层并与第一导体层电性连接。

16.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，去除凸块下金属层的一外部区域层的步骤是借由一研磨法、一等离子蚀刻法以及一化学机械研磨法其中之一。