[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110339985.7 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102456646A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 裴大录;崔吉铉;朴炳律;姜泌圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/78;H01L21/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 布线 基底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基底结构，所述基底结构包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，位于所述绝缘层中，所述线形导电层图案沿第一方向延伸；以及线形半导体图案，位于所述线形导电层图案上，所述线形半导体图案沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。
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