[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法

说明书

本申请要求于2010年10月28日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0106295号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

示例实施例涉及一种具有埋置布线的基底结构及一种用于制造该基底结构的方法、一种半导体装置及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。更具体地说，示例实施例涉及一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时能够解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。

背景技术

近来，随着半导体装置的集成度大幅提高，晶体管的沟道长度减小，从而导致短沟道效应，包括晶体管的漏电流增大、击穿电压减小、由于漏极电压导致的电流连续增大等。因此，需要开发能够有效地防止短沟道效应的晶体管。根据半导体装置的提高的集成度，还需要开发具有暴露限度或更少的设计规则的晶体管。

然而，传统的水平沟道晶体管不能满足这些需求，在传统的水平沟道晶体管中，源区和漏区设置在同一平面上，沟道形成在源区和漏区之间。为了解决该问题，已经提出了垂直沟道晶体管，在垂直沟道晶体管中，源区和漏区垂直地上下设置，沟道形成在源区和漏区之间。

然而，在垂直沟道晶体管中，设置在栅电极下方的杂质区通常用作位线，高电阻会赋予位线。因此，具有高电阻的位线不能容易地传输外部施加的电压，结果最终降低半导体装置的电特性。

发明内容

示例实施例提供了一种具有低电阻埋置布线的基底结构和一种制造该基底结构的方法，该基底结构能够解决在制造工艺中产生的问题，从而提高半导体装置的特性。

示例实施例还提供了一种半导体装置和一种使用该基底结构制造该半导体装置的方法。

示例实施例的这些和其它目的将在优选实施例的以下描述中进行描述，或者根据优选实施例的以下描述将是明显的。

根据示例实施例，一种基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，位于绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，位于所述线形导电层图案上，所述线形半导体图案沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。

根据示例实施例，一种制造基底结构的方法可以包括：在半导体基底的一个表面上形成导电层；通过将所述导电层图案化形成沿第一方向延伸的线形导电层图案；通过将由所述导电层图案暴露的半导体基底蚀刻到一定深度来形成位于所述导电层图案下方且沿所述第一方向延伸的线形半导体图案；在所述导电层图案和所述半导体图案上形成绝缘层；将所述绝缘层设置在支撑基底上，使得所述半导体基底的所述一个表面面对所述支撑基底；去除所述半导体基底的一部分，使得所述绝缘层从所述半导体基底的第二表面暴露。

根据示例实施例，一种制造基底结构的方法可以包括：在半导体基底的表面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括线形导电图案；蚀刻所述半导体基底，以在所述线形导电图案下方形成线形半导体图案；在所述堆叠结构、所述线形半导体图案和所述半导体基底上形成绝缘层；将所述绝缘层结合到支撑基底；切割所述半导体基底以暴露所述绝缘层，其中，使用所述堆叠结构作为用于形成所述线形半导体图案的蚀刻掩模。

根据示例实施例，一种基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，设置在所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。

根据示例实施例，一种制造基底结构的方法可以包括：在半导体基底的一个表面上形成导电层；通过将所述导电层图案化形成沿第一方向延伸的线形导电层图案；通过将由所述导电层图案暴露的半导体基底蚀刻到预定深度来形成设置在所述导电层图案下方且沿所述第一方向延伸的线形半导体图案；在所述导电层图案和所述半导体图案上形成绝缘层；将所述绝缘层设置在支撑基底上，使得所述半导体基底的所述一个表面面对所述支撑基底；去除所述半导体基底的一部分，使得所述绝缘层从所述半导体基底的另一表面暴露。