[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基底结构，所述基底结构包括：

支撑基底；

绝缘层，位于所述支撑基底上；

线形导电层图案，位于所述绝缘层中，所述线形导电层图案沿第一方向延伸；以及

线形半导体图案，位于所述线形导电层图案上，所述线形半导体图案沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。

2.根据权利要求1所述的基底结构，其中，所述线形半导体图案位于所述绝缘层中。

3.根据权利要求1或2所述的基底结构，其中，所述线形导电层图案包括金属和金属硅化物材料中的一种，所述线形半导体图案包括单晶半导体材料。

4.根据权利要求1或2所述的基底结构，所述基底结构还包括：

阻挡层图案，位于所述线形导电层图案和所述线形半导体图案之间。

5.根据权利要求4所述的基底结构，其中，所述阻挡层图案包括金属、金属氮化物或金属硅化物材料。

6.根据权利要求1、2或5所述的基底结构，其中，所述线形导电层图案由位于其底表面上的覆层图案和位于其侧壁处的分隔件围绕。

7.根据权利要求6所述的基底结构，其中，所述覆层图案和所述分隔件中的至少一个包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求1、2或7所述的基底结构，其中，所述线形半导体图案包括位于所述线形导电层图案上的线形下半导体图案和位于所述线形下半导体图案上的柱形上半导体图案。

9.根据权利要求8所述的基底结构，所述基底结构还包括：

栅极线，在接触所述上半导体图案的至少一个侧壁的同时沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及

栅极绝缘层，位于所述上半导体图案和所述栅极线之间，

其中，所述线形导电层图案由位于其底表面上的覆层图案和位于其侧壁处的分隔件围绕。

10.根据权利要求9所述的基底结构，其中，所述栅极线包括第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线接触沿所述第二方向布置的一行上半导体图案的一个侧壁，并且所述第二栅极线接触面对所述一个侧壁的另一侧壁。

11.根据权利要求9所述的基底结构，所述基底结构还包括：

阻挡层图案，位于所述线形导电层图案和所述线形半导体图案之间。

12.根据权利要求9所述的基底结构，所述基底结构还包括：

漏区和源区，分别位于所述下线形半导体图案和所述上半导体图案上，在所述漏区和所述源区之间具有沟道区。

13.一种制造基底结构的方法，所述方法包括：

在半导体基底的一个表面上形成导电层；

通过将所述导电层图案化形成沿第一方向延伸的线形导电层图案；

通过将由所述导电层图案暴露的半导体基底蚀刻到一定深度来形成位于所述导电层图案下方且沿所述第一方向延伸的线形半导体图案；

在所述导电层图案和所述半导体图案上形成绝缘层；

将所述绝缘层设置在支撑基底上，使得所述半导体基底的所述一个表面面对所述支撑基底；以及

去除所述半导体基底的一部分，使得所述绝缘层从所述半导体基底的第二表面暴露。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述导电层图案包括金属和金属硅化物材料中的一种，所述半导体图案包括单晶半导体材料。

15.根据权利要求13或14所述的方法，所述方法还包括：

在形成所述导电层之前在所述半导体基底上形成阻挡层，其中，当将所述导电层图案化时将所述阻挡层图案化，从而在所述导电层图案下方形成阻挡层图案。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述阻挡层图案包括金属、金属氮化物和金属硅化物材料中的至少一种。

17.根据权利要求13、14或16所述的方法，其中，所述导电层图案由位于其底表面上的覆层图案和位于其侧壁处的分隔件围绕，并且形成所述线形半导体图案的步骤包括使用所述覆层图案和所述分隔件作为蚀刻掩模。