[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201110276176.6 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102569268A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 唐金祐次;安藤善康 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备:基板;控制元件,其配置于前述基板上。并且,具备:树脂,其覆盖前述控制元件;以及存储元件,其配置于前述控制元件上,与前述树脂相接并由前述控制元件进行控制;其中,从上面观察,前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:基板;控制元件,其配置于前述基板上;树脂,其覆盖前述控制元件;以及存储元件,其配置于前述控制元件上,与前述树脂相接,并由前述控制元件进行控制;其中,从上面观察,前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。
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