[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201110276176.6 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102569268A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 唐金祐次;安藤善康 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请基于2010年12月17日提交的日本专利申请2010-281844并要求其优先权,该日本专利申请的全部内容通过引用被结合在本申请中。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
背景技术
在一个封装中组装有多个存储元件和控制元件的半导体装置广泛普及,可实现半导体存储装置的大容量化和便利性的提高。另一方面,这些半导体装置的用途也在扩大,也被搭载于便携终端那样的小型设备,从而期望封装尺寸的小型化。
若在作为封装的基部的基板上平面地布置存储元件、控制元件以及各种无源部件,则封装尺寸必然会变大。因此,进行了立体地配置这些半导体元件以及部件的研究。例如,能够在芯片尺寸大的存储元件上装载控制元件。
然而,半导体元件的立体的配置,会产生各种问题。例如,将配置于存储元件上的控制元件与设置于基板的外部端子之间电连接的金属引线会变长,有时不能传送高频信号。另外,也有时需要用于将控制元件连接于外部端子的其他中继元件,制造成本会变高。因此,寻求可以使高频特性提高的小型且低成本的半导体装置。
发明内容
本发明的实施方式提供小型的半导体装置及其制造方法。
本发明的实施方式所涉及的半导体装置具备:基板;控制元件,其配置于前述基板上。并且,具备:树脂,其覆盖前述控制元件;以及存储元件,其配置于前述控制元件上,与前述树脂相接并由前述控制元件进行控制;其中,从上面观察,前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。
根据本发明的实施方式,能够提供小型的半导体装置及其制造方法。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图2是表示第1实施方式所涉及的半导体装置的制造过程的示意剖面图。
图3是表示接续于图2的半导体装置的制造过程的示意剖面图。
图4是表示接续于图3的半导体装置的制造过程的示意剖面图。
图5是表示接续于图4的半导体装置的制造过程的示意剖面图。
图6是表示第1实施方式的变形例所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图7是表示第1实施方式的其他变形例所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图8是表示第2实施方式所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图9是表示第2实施方式的变形例所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图10是表示第2实施方式的其他变形例所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图11是表示第2实施方式的变形例所涉及的半导体装置的制造过程的示意剖面图。
图12是表示第3实施方式所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
图13是表示第4实施方式所涉及的半导体装置的剖面的示意图。
具体实施方式
以下,关于本发明的实施方式参照附图进行说明。另外,在以下的实施方式中,对附图中的同一部分标注相同编号并适宜省略其详细说明,关于不同的部分进行适宜说明。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式所涉及的半导体装置100的剖面的示意图。这里例示的半导体装置100,是收置于所谓BGA(Ball Grid Array:球栅阵列)型的半导体封装中的半导体存储装置。
半导体装置100具备存储元件50A~50C、控制元件20和无源部件30。
存储元件50A~50C,例如是NAND型闪存。控制元件20是存储器控制器,对存储元件50A~50C的工作进行控制。无源部件30,是电阻以及电容等电路部件。在此,从上面观察的面积,是存储元件50A~50C最大。
如图1所示,半导体装置100具备基板10、配置于基板10上的控制元件20和配置于基板10上的无源部件30。
控制元件20经由在背面设置的粘接层21安装于基板10的表面10a。并且,控制元件20的电极焊盘23与在基板10的表面10a设置的连接端子17之间,通过金属引线22电连接。
无源部件30焊接固定于基板10的表面10a,同时连接于在基板10的表面10a设置的布线(未图示)。
进而,控制元件20和无源部件30,被绝缘性树脂40覆盖。并且,存储元件50A与绝缘性树脂40相接而配置于控制元件20以及无源部件30之上。
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