[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201110276176.6 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN102569268A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 唐金祐次;安藤善康 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
基板;
控制元件,其配置于前述基板上;
树脂,其覆盖前述控制元件;以及
存储元件,其配置于前述控制元件上,与前述树脂相接,并由前述控制元件进行控制;
其中,从上面观察,前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具有无源部件,其配置于前述基板上或前述基板的内部;
前述无源部件配置于前述存储元件的正下方区域内。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
具备由前述控制元件进行控制的多个存储元件;
前述多个存储元件,阶梯状地错开各自的位置而装载;
与配置有前述控制元件的前述基板的表面平行地俯视,前述控制元件和前述无源部件配置于前述多个存储元件的正下方区域内。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
前述无源部件配置于前述基板上;
前述树脂覆盖前述控制元件以及前述无源部件。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
前述基板具有第1基部、第2基部和设置于第1基部与第2基部之间的绝缘层;
前述控制元件和前述存储元件配置于与前述绝缘层相反侧的前述第2基部上;
前述无源部件配置于前述第1基部与前述第2基部之间,并被前述绝缘层覆盖。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
前述控制元件与设置于前述基板的端子之间经由金属引线连接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
前述无源部件与设置于前述基板的布线之间经由金属引线连接。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
前述控制元件与前述存储元件经由设置于前述基板的布线连接,
前述控制元件对前述存储元件进行控制。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
前述控制元件配置于在前述基板设置的凹部的底面。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
前述凹部比前述控制元件的厚度深。
11.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
前述无源部件配置于前述基板的内部。
12.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
前述基板具有第1基部、第2基部和设置于第1基部与第2基部之间的绝缘层;
前述凹部从设置于前述第2基部的开口起向前述第1基部的方向设置;
前述无源部件配置于前述第1基部与前述第2基部之间,并被前述绝缘层覆盖。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
前述控制元件经由金属引线连接于在前述第2基部的与前述绝缘层相反侧的表面设置的端子。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
前述无源部件接合于前述第1基部上,与在前述第2基部的与前述绝缘层相反侧的表面设置的端子电连接。
15.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
前述树脂包含热固化性的成分。
16.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
具备焊料球,其设置于前述基板的与配置有前述控制元件的表面相反的背面;
前述控制元件以及前述无源部件与前述焊料球电连接。
17.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
准备基板,所述基板具有配置于基板上的控制元件和配置于前述基板上或前述基板的内部的无源部件;
准备存储元件,所述存储元件具备在背面设置的树脂层;以及
经由覆盖前述控制元件的前述树脂层将前述存储元件粘贴于前述基板。
18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
前述树脂层是半固化状态的热固化性树脂。
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