[发明专利]半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110184708.3 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102299132A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 西野正纪;堀木厚 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54;H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体装置用封装及其制造方法、以及半导体装置,本发明的半导体装置用封装在引线框(1、2)的至少露出于树脂部(3)的开口内的部分的侧面上设置台阶(10),从而能提高引线框(1、2)与树脂之间的附着力,能抑制密封树脂从引线框(1、2)与树脂之间的间隙漏出,并能抑制外界气体或水分的侵入。
搜索关键词: 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 以及
【主权项】:
一种半导体装置用封装,其特征在于,包括:一个或多个第一引线框,该一个或多个第一引线框在主面上具有元件装载区域;一个或多个第二引线框,该一个或多个第二引线框在主面上具有连接区域,且电绝缘而形成;树脂部,该树脂部形成于所述第一引线框和所述第二引线框的所述主面上,将所述元件装载区域和所述连接区域进行开口;台阶,该台阶形成于至少在所述开口内从所述树脂部露出的、所述第一引线框和所述第二引线框的各自的侧面;以及保持树脂,该保持树脂设置于所述第一引线框和所述第二引线框的相对于所述主面的侧面的至少一部分、以及所述第一引线框与所述第二引线框之间的间隙中。
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