[发明专利]具有栅极堆叠应力源的多重方向纳米线无效
| 申请号： | 201080032249.0 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102473722A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | L·塞卡里克;D·齐达姆巴拉奥;X·H·刘 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L27/092;H01L29/51;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件，包括：导电沟道，其限定晶体结构并且具有长度与厚度tC；以及厚度为tg的栅极堆叠，其与该沟道的表面接触。此外，栅极堆叠包括在沟道的接触表面上施加压缩力或拉伸力其中之一的材料，从而使得电荷载流子(电子或空穴)的沿沟道长度的电迁移率因基于沟道长度相对于晶体结构的排列的压缩力或拉伸力而增加。提供了针对在不同晶体管中增加空穴与电子迁移率的芯片的实施例，以及制造这种晶体管或芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 堆叠 应力 多重 方向 纳米 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包含：导电沟道，其限定晶体结构并且具有长度与厚度tC；以及电介质膜，其与所述沟道的表面接触，其中所述电介质膜具有厚度tG，从而使得tG/tC的比例大于或等于0.1；并且所述膜包括在所述沟道的接触表面上施加压缩力或拉伸力其中之一的材料，从而使得载流子沿该沟道长度的电迁移率因基于所述沟道长度相对于所述晶体结构的排列的压缩力或拉伸力而增加。
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- 2009-02-13 - 2011-01-12 - H01L29/775
- 本发明涉及一种在室温下运行的单电子晶体管及其制造方法。更具体地来说，本发明涉及一种在室温下运行的单电子晶体管及其制造方法，其中，形成了采用纳米结构的量子点或硅化物量子点，并且栅极置于量子点上，从而使得对隧道阻挡层的影响最小化，并且提高了对量子点的电位控制的有效性以及晶体管的操作效率。
- 在以纳米线为基础的电子装置中用于栅极构造和改进触点的方法、系统和设备-200580043138.9
- 沙哈拉·莫斯特拉谢;陈建;弗朗西斯科·莱昂;潘尧令;L·T·罗马诺 - 纳米系统公司
- 2005-10-14 - 2009-04-01 - H01L29/775
- 本发明描述了用于具有改进的栅极结构的电子装置的方法、系统和设备。电子装置包括至少一根纳米线。栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分定位。电介质材料层在栅极触点与所述至少一根纳米线之间。源极触点和漏极触点与所述至少一根纳米线接触。源极触点和/或漏极触点的至少一部分沿纳米线长度与栅极触点重叠。在另一方面，电子装置包括具有由绝缘壳层围绕的半导体芯部的纳米线。环形第一栅极区沿纳米线的长度的一部分围绕纳米线。第二栅极区沿纳米线的长度定位在纳米线与衬底之间。源极触点和漏极触点连接到在半导体芯部的各个露出部分处的纳米线的半导体芯部。
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