[发明专利]半导体结构及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010551927.6 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102290379A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 卢祯发;刘重希;余振华;陈威宇;陈正庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物，及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺及第二等离子体工艺之间使用一蚀刻工艺以移除由第一等离子体工艺所释放的污染物。在一实施例中，聚合物层的由原子力显微镜及表面积差异比率系数所量测得到的粗糙度介于约1％及约8％，且/或该聚合物层的钛表面污染物小于1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；一聚合物层位于该基材上，该聚合物层的由原子力显微镜以表面积差异比率系数所测得的表面粗糙度介于约1％至8％之间，且该聚合物层具有一开口暴露至少一部分的该导电垫；以及一凸块下金属结构，延伸贯穿该开口并与该导电垫电性连接。
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