[发明专利]半导体结构及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基材，具有一接触垫形成于其上；

一聚合物层位于该基材上，该聚合物层的由原子力显微镜以表面积差异比率系数所测得的表面粗糙度介于约1％至8％之间，且该聚合物层具有一开口暴露至少一部分的该导电垫；以及

一凸块下金属结构，延伸贯穿该开口并与该导电垫电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该聚合物层包含聚酰亚胺。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该聚合物层包含聚苯恶唑。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包含一导电凸块，其与该凸块下金属结构电性连接，其中该凸块下金属结构包含一钛层及一铜层。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一基材；

形成一接触垫于该基材上；

形成一保护层于该接触垫上，以暴露至少一部分的该接触垫；

形成一凸块下金属结构与该接触垫电性连接；

形成一导电凸块于该凸块下金属结构上；

于该保护层的暴露表面上进行一第一等离子体工艺，该第一等离子体工艺使该保护层的一表面粗糙化；

于进行该第一等离子体工艺后，进行一或多次工艺步骤；以及

于该保护层的暴露表面上进行一第二等离子体工艺，该第二等离子体工艺减少该保护层的粗糙度。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该保护层为聚酰亚胺或聚苯恶唑。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述一或多次工艺包含一蚀刻工艺，以移除由该第一等离子体工艺松散释放的污染物。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该第一等离子体工艺包含氮气等离子体处理或四氟化碳/氧气等离子体处理。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该第二等离子体工艺包含氮气等离子体处理或氩气/氧气等离子体处理。