[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的课题是提供提高像素部的开口率，并提高驱动电路部的特性的半导体装置。或者，本发明的课题是提供功耗小的半导体装置。或者，本发明的课题是提供能够控制阈值电压的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有绝缘面的衬底、设置在衬底上的像素部、驱动像素部的驱动电路的至少一部分，构成像素部的晶体管及构成驱动电路的晶体管是顶栅底接触型晶体管，在像素部中，电极及半导体层具有透光性，驱动电路中的电极的电阻低于像素部中的晶体管所具有的所有电极的电阻。

主权项

一种半导体装置，包括：包括第一薄膜晶体管的像素部；以及包括第二薄膜晶体管的驱动电路部，其中，所述像素部和所述驱动电路部形成在衬底上，在所述衬底上所述第一薄膜晶体管包括：第一源电极层，第一漏电极层，与所述第一源电极层及所述第一漏电极层电连接地形成的氧化物半导体层，覆盖所述氧化物半导体层地形成的栅极绝缘层，在与所述氧化物半导体层重叠的所述栅极绝缘层的区域上设置的第一栅电极层，覆盖所述第一栅电极层地形成的保护绝缘层，以及所述保护绝缘层上的像素电极层，所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述第一栅电极层、所述保护绝缘层以及所述像素电极层具有透光性，所述第二薄膜晶体管的第二栅电极层由所述保护绝缘层覆盖，并且，所述第二薄膜晶体管的第二源电极层、第二漏电极层以及所述第二栅电极层的材料与所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层以及所述第一栅电极层的材料不同，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二源电极层、所述第二漏电极层以及所述第二栅电极层的材料是其电阻低于所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层及所述第一栅电极层的电阻的导电材料。