[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括第一薄膜晶体管的像素部；以及

包括第二薄膜晶体管的驱动电路部，

其中，所述像素部和所述驱动电路部形成在衬底上，

在所述衬底上所述第一薄膜晶体管包括：

第一源电极层，

第一漏电极层，

与所述第一源电极层及所述第一漏电极层电连接地形成的氧化物半导体层，

覆盖所述氧化物半导体层地形成的栅极绝缘层，

在与所述氧化物半导体层重叠的所述栅极绝缘层的区域上设置的第一栅电极层，

覆盖所述第一栅电极层地形成的保护绝缘层，以及

所述保护绝缘层上的像素电极层，

所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述第一栅电极层、所述保护绝缘层以及所述像素电极层具有透光性，

所述第二薄膜晶体管的第二栅电极层由所述保护绝缘层覆盖，

并且，所述第二薄膜晶体管的第二源电极层、第二漏电极层以及所述第二栅电极层的材料与所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层以及所述第一栅电极层的材料不同，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二源电极层、所述第二漏电极层以及所述第二栅电极层的材料是其电阻低于所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层及所述第一栅电极层的电阻的导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二薄膜晶体管的所述第二栅电极层、所述第二源电极层及所述第二漏电极层由包含以选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo以及W中的元素为主要成分的膜或者包含所述元素中的任何元素的合金膜的叠层形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二薄膜晶体管在所述衬底上包括，所述第二源电极层；所述第二漏电极层；与所述第二源电极层及所述第二漏电极层电连接地形成的所述氧化物半导体层；覆盖所述氧化物半导体层地形成的所述栅极绝缘层；以及在与所述氧化物半导体层重叠的所述栅极绝缘层的区域上设置的所述第二栅电极层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述第一栅电极层以及所述像素电极层分别使用选自氧化铟、氧化铟氧化锡合金、氧化铟氧化锌合金、氧化锌中的任何元素的膜；或者包含组合所述膜的叠层形成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，在所述衬底上还包括电容器部，

其中所述电容器部包括电容布线及与该电容布线重叠的电容电极，

并且所述电容布线及所述电容电极具有透光性。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二薄膜晶体管具有背栅极。

7.一种半导体装置，包括：

包括第一薄膜晶体管的像素部；以及

包括第二薄膜晶体管的驱动电路部，

其中，所述像素部和所述驱动电路部形成在衬底上，

在所述衬底上所述第一薄膜晶体管包括：

第一源电极层，

第一漏电极层，

与所述第一源电极层及所述第一漏电极层电连接地形成的氧化物半导体层，

覆盖所述氧化物半导体层地形成的栅极绝缘层，

在与所述氧化物半导体层重叠的所述栅极绝缘层的区域上设置的第一栅电极层，

覆盖所述第一栅电极层地形成的保护绝缘层，以及

所述保护绝缘层上的像素电极层，

所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘层、所述第一栅电极层、所述保护绝缘层以及所述像素电极层具有透光性，

所述第二薄膜晶体管的所述第二栅电极层由所述保护绝缘层覆盖，

并且，所述第二薄膜晶体管的所述第二源电极层、所述第二漏电极层以及所述第二栅电极层使用如下膜的叠层形成，包含与所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层以及所述第一栅电极层相同的材料的膜；以及包含其电阻低于所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极层、所述第一漏电极层及所述第一栅电极层的电阻的导电材料的膜。