[发明专利]集成电路装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201010206643.3 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102088011A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 林正忠;刘重希;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路装置及其形成方法。该集成电路装置包含：一第一铜层；一第二铜层设置于该第一铜层之上；以及，一相接界面介于该第一铜层及该第二铜层之间。该相接界面包含一平坦区域界面区及一交互成长界面区，其中该平坦区域界面区小于或等于该相接界面的50％。当平坦区域界面区占该相接界面总面积的50％或50％以下，该相接界面216(即铜-铜相接界面)即不会有剥离现象的发生。降低(或消除)膜层间的剥离现象可改善半导体装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包含：一第一铜层；一第二铜层设置于该第一铜层之上；一相接界面介于该第一铜层及该第二铜层之间，其中该相接界面包含一平坦区域界面区及一交互成长界面区；以及其中该平坦区域界面区小于或等于该相接界面的50％。
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