[发明专利]集成电路装置及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，包含：

一第一铜层；

一第二铜层设置于该第一铜层之上；

一相接界面介于该第一铜层及该第二铜层之间，其中该相接界面包含一平坦区域界面区及一交互成长界面区；以及

其中该平坦区域界面区小于或等于该相接界面的50％。

2.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该平坦区域界面区包含一部分的相接界面，其中该一部分的相接界面为该第一铜层与该第二铜层相接触之处，且显示出实质上没有交互成长发生。

3.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该交互成长界面区包含一部分的相接界面，其中该一部分的相接界面为该第一铜层与该第二铜层相接触之处，且显示出晶粒间交互成长。

4.如权利要求1所述的集成电路装置，其中没有氧化铜层设置于该相接界面处。

5.如权利要求1所述的集成电路装置，其中没有氟化铜层设置于该相接界面处。

6.一种集成电路装置，包含：

一半导体基板包含一焊垫；

一凸块结构位于于该半导体基板上，并与该焊垫电性连结；

一铜晶种层，设置于该基板的焊垫及该凸块结构之间；以及

一相接界面介于该凸块结构及该铜晶种层之间，其中没有氧化铜层设置于该相接界面处。

7.如权利要求6所述的集成电路装置，其中该相接界面包含一平坦区域界面区及一交互成长界面区，且该平坦区域界面区小于或等于该相接界面的50％。

8.如权利要求7所述的集成电路装置，其中该交互成长界面区包含一部分的相接界面，其中该一部分的相接界面为该凸块结构与部分该铜晶种层交互成长处。

9.如权利要求6所述的集成电路装置，其中没有氟化铜层位于该相接界面处。

10.一种形成集成电路装置的方法，包含：

提供一具有一焊垫的基板；

形成一铜晶种层于该焊垫之上；

利用CF₄/O₂/N₂等离子体进行一除渣工艺；

移除一在除渣工艺中所形成于该铜晶种层之上的残留层；以及

之后，形成一凸块结构于该铜晶种层之上。

11.如权利要求10所述的形成集成电路装置的方法，其中没有氧化铜层设置一介于该凸块结构及该铜晶种层的相接界面。

12.如权利要求10所述的形成集成电路装置的方法，其中没有氟化铜层设置一介于该凸块结构及该铜晶种层的相接界面。

13.如权利要求10所述的形成集成电路装置的方法，其中一介于该凸块结构及该铜晶种层的相接界面包含一平坦区域界面区及一交互成长界面区，且该平坦区域界面区小于或等于该相接界面的50％。

14.如权利要求10所述的形成集成电路装置的方法，其中形成该凸块结构于该铜晶种层之上的步骤包含形成一铜柱于该铜晶种层之上。

15.如权利要求10所述的形成集成电路装置的方法，其中形成该凸块结构于该铜晶种层之上的步骤包含：

形成一铜柱于该铜晶种层之上；以及

形成一焊料层于该铜柱之上。