[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010204916.0 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102142453A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;黄健;马正焜;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 上海卓骋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海明成云知识产权代理有限公司 31232 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体结构及其制作方法。本发明中，电场限制环为三个环一组，位于中心的电场限制环与基底掺杂类型相反，两边电场限制环与基底掺杂类型相同；三个环具有指定浓度特征和深度特征；三个环相连构成一组，每组环间隔距离固定且该距离具有指定特征，从而能够更好地控制半导体结构的性能，有更好的结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，每组单元包含：位于所述半导体基底表面的紧连的三个电场限制环，其中位于中间的电场限制环与半导体基底掺杂类型相反，位于两边的两个电场限制环与半导体基底掺杂类型相同。
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