[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，

每组单元包含：

位于所述半导体基底表面的紧连的三个电场限制环，其中位于中间的电场限制环与半导体基底掺杂类型相反，位于两边的两个电场限制环与半导体基底掺杂类型相同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻的电场限制环之间的间隔距离是固定的。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相邻的电场限制环之间的间隔距离在100到300微米之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位于中间的电场限制环的掺杂浓度高于所述位于两边的两个电场限制环的掺杂浓度；

所述位于两边的两个电场限制环中，靠近元胞区的电场限制环的掺杂浓度高于远离元胞区的电场限制环的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

所述位于中间的电场限制环的掺杂浓度为10¹⁷/cm³到10¹⁹/cm³；

所述靠近元胞区的电场限制环的掺杂浓度为10¹⁶/cm³到10¹⁸/cm³；

所述远离元胞区的电场限制环的掺杂浓度为10¹⁵/cm³到10¹⁷/cm³；

所述位于中间的电场限制环与半导体基底形成的PN结边界距离半导体基底表面为3微米到10微米；

所述靠近元胞区的电场限制环从表面到其掺杂浓度降至半导体基底掺杂浓度的距离为1微米到5微米；

所述远离元胞区的电场限制环从表面到其掺杂浓度降至半导体基底掺杂浓度的距离为2微米到6微米；

所述三个电场限制环各自的宽度范围在20微米到100微米之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元还包含：

位于所述半导体基底表面上方的两个电场极板，这两个电场极板到所述半导体基底表面的平均距离不同；以及

位于所述两个电场极板和所述半导体基底表面之间的隔离层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，每个所述电场极板包括：位于两端的两个平行于所述半导体基底表面的平面，和位于中间连接这两个平面的一个斜面；

对于离所述半导体基底表面的平均距离远的电场极板，其中斜面与所述半导体基底表面的夹角在40度至60度之间；

对于离所述半导体基底表面的平均距离近的电场极板，其中斜面与所述半导体基底表面的夹角在10度至15度之间。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元中，

对于离所述半导体基底表面的平均距离远的电场极板，其中

离所述半导体基底表面远的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为磷硅玻璃，厚度为2微米到5微米，

离所述半导体基底表面近的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为硼磷硅玻璃、或磷硅玻璃、或者硼磷硅玻璃和磷硅玻璃的叠加，厚度为1微米到3微米；

对于离所述半导体基底表面的平均距离近的电场极板，其中

离所述半导体基底表面远的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为热氧化层，厚度为0.5微米到2微米，

离所述半导体基底表面近的平面与所述半导体基底表面之间的隔离层的材料为热氧化层，厚度为0.01微米到0.5微米。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，

所述硼磷硅玻璃中硼的质量浓度为1％至10％；

所述磷硅玻璃中磷的质量浓度为1％至10％。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元中，电场限制环与两个电场极板以导电材料相连接。

11.一种半导体结构制作方法，用于制作如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

制作靠近元胞区的电场限制环；

制作位于中间的电场限制环；

制作远离元胞区的电场限制环。