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[发明专利]一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法-CN200910241587.4有效
发明人：温振超;于国强;王译;魏红祥;张曙丰;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性多层膜单元，包括磁性多层膜核心单元和磁矩控制单元，所述多层膜核心单元包括自由层，所述磁矩控制单元包括两个导电层，所述多层膜核心单元的自由层位于所述两个导电层所形成的电场中。另外，本发明还提供了相应的磁性多层膜单元制备方法和磁矩翻转控制方法。本发明极大的降低了器件的功耗；能够提高器件的集成度；制备工艺与半导体工艺相兼容，有利于发展大规模工业生产；有利于自旋电子学器件的小型化；具有抗辐射的优点。本发明的磁性多层膜可广泛应用于未来计算机信息通讯产业领域中的逻辑器件、非易失性存储器、自旋晶体管以及各种传感器等自旋电子学器件中。本发明有利于拓宽自旋电子学器件的应用范围。
一种磁性多层单元及其制备翻转方法

[发明专利]一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器-CN200910076048.X有效
发明人：陈军养;刘东屏;温振超;韩秀峰;张曙丰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层；所述写位线与所述非磁性层相连，以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩，实现数据的写入。本发明还提供具有类似结构的基于Rashba效应的可编程磁逻辑器件和自旋微波振荡器。本发明实现了读写分离，可以有效保护器件在反复高电流密度读写时不易被损坏，可以有效降低写电流密度，增加器件的可操作性；本发明还采用了闭合状几何结构的设计方案，可进一步减小磁场对器件的干扰。
一种磁性随机存储器逻辑器件自旋微波振荡器

[发明专利]一种磁性单层膜微波振荡器及制作方法和控制方法与用途-CN200810119751.X有效
发明人：温振超;魏红祥;张曙丰;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波振荡器及其制作方法和控制方法与用途。该微波振荡器的制作方法，包括如下的步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积磁性单层膜，并形成闭合或非闭合环状磁性单层膜单元；在所述磁性单层膜单元上形成一对输入端电极和至少一对输出端电极。该微波振荡器包括：衬底；形成在该衬底上的闭合或非闭合环状磁性单层膜单元；与所述磁性单层膜单元连接的一对输入端电极和至少一对输出端电极。本发明提供的基于闭合或非闭合的环形磁性单层膜的微波振荡器，具有高基频、高信噪比、器件小型化、高集成度、低功耗和高的频率可控可调谐性等优点，可广泛应用于通信领域中的雷达、广播基站、电视、移动通信终端和高频信号发生器等。
一种磁性单层微波振荡器制作方法控制方法用途