专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法-CN202111237415.7在审
  • 肖南海;周细应 - 上海音特电子有限公司
  • 2021-10-22 - 2022-01-28 - H01L23/498
  • 本发明公开了用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法,涉及半导体封装技术领域。本发明采用氮化铝基材作为导电框架,导电框架采用整面的氮化铝基材作为表面,进行镀铜工艺制成焊接硅片管脚Pad;氮化铝基材的连接方式使用金手指,氮化铝基材的上部框架的折弯高度为加载芯片高度加上锡膏厚度之和的1.2倍;氮化铝基材的正面覆铜。本发明减少了芯片热击穿失效的概率,大幅度解决了瞬变过程中的高di/dt瞬态产生的电磁干扰EMI问题,提高了芯片与基板之间的绝缘性;采用氮化铝材料具有与芯片衬底Si相匹配的膨胀系数,降低了产品因膨胀系数差异的失效,在5G基站、新能源、电动汽车等应用场景具有很好的市场前景。
  • 用于大功率瞬态抑制二极管氮化基材焊接方法
  • [发明专利]一种40Cr转向节锻后余热细化晶粒方法-CN201911010728.1在审
  • 祁斌;周细应;袁松 - 祁斌;周细应
  • 2019-10-23 - 2020-03-06 - C21D8/00
  • 本发明提供了一种40Cr转向节锻后余热细化晶粒方法。具体包括:加热所述40Cr转向节的胚料进行模锻,控制所述模锻的初始温度和终锻温度,得到40Cr转向节;将40Cr转向节放入网带炉中预冷;其后,将40Cr转向节投至冷却水中搅拌淬火,直至40Cr转向节的表面温度降低至50℃。采用本发明提供的40Cr转向节锻后余热细化晶粒方法,所得到的40Cr转向节综合性能更好,晶粒相对细化;并且在生产效率提高,降低成本的同时,进一步具有节能环保和提升产品质量的优势。
  • 一种40cr转向节锻后余热细化晶粒方法

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