[发明专利]制作半导体封装的方法无效

专利信息
申请号: 201010113690.3 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN102157461A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 田斌;许南;姚晋钟 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种制作半导体封装的方法,涉及装配半导体封装的方法,所述方法包括在对包封材料进行模制后固化之后的快速冷却步骤。该快速冷却步骤包括对该封装吹送大约两分钟冷冻压缩空气。该快速冷却步骤不需要同时对封装施加任何夹紧压力。该快速冷却步骤在最长不到5分钟的时间内将包封材料的温度从固化温度降低至冷却温度。与在夹紧压力下用环境空气对封装进行冷却相比,通过使用快速冷却,因CTE失配所致的封装扭曲可以得以防止。
搜索关键词: 制作 半导体 封装 方法
【主权项】:
一种用于装配扁平无引脚半导体封装的方法,包括:将半导体单元片的基表面安装到支持衬底;使在单元片的上表面上的单元片电连接焊垫与被安装到支持衬底的各个外部连接焊垫电连接;用包封材料对所述半导体单元片和外部连接焊垫进行包封以形成半导体封装,其中所述包封材料和支持衬底将所述外部连接焊垫夹在它们之间;在固化温度下固化所述包封材料;以及将所述包封材料从固化温度快速冷却到不超过50摄氏度的冷却温度,所述快速冷却至少部分地由被引导至包封材料之上的流体流辅助以便由此使包封材料的温度在小于5分钟的最大冷却周期内从固化温度降低至所述冷却温度。
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