[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法无效

申请号：	200980138926.4	申请日：	2009-10-01
公开（公告）号：	CN102171790A	公开（公告）日：	2011-08-31
发明（设计）人：	秦雅彦	申请（专利权）人：	住友化学株式会社
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/331;H01L21/338;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/12;H01L29/737;H01L2
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	蒋亭
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供依序具有半导底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板。其是在Si结晶层上设有阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层，而阻挡层具有贯通到Si结晶层为止的开口，在开口内部具有种晶，而化合物半导体是与种晶晶格匹配或准晶格匹配的半导体基板。本发明还提供电子器件，具有基体、设置在基体上的绝缘层、设置在绝缘层上的Si结晶层、设置在Si结晶层上的阻挡层，用于阻挡化合物半导体的结晶生长；且具有贯通Si结晶层为止的开口的阻挡层、设置在开口内部的种晶、晶格匹配或准晶格匹配于种晶的化合物半导体以及化合物半导体形成的半导体器件。
搜索关键词：	半导体电子器件以及制造方法
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【主权项】：

一种依序具有底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板，还包括：阻挡层，设置在所述Si结晶层上，阻挡化合物半导体的结晶生长，且具有贯通至所述Si结晶层为止的开口；种晶，设置在所述开口内部；以及化合物半导体，其与所述种晶晶格匹配或准晶格匹配。

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