[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种依序具有底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板，还包括：

阻挡层，设置在所述Si结晶层上，阻挡化合物半导体的结晶生长，且具有贯通至所述Si结晶层为止的开口；

种晶，设置在所述开口内部；以及

化合物半导体，其与所述种晶晶格匹配或准晶格匹配。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述化合物半导体的所述开口中包含的部分具有以上的纵横尺寸比。

3.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述化合物半导体，具有，

在所述种晶上，结晶生长成比所述阻挡层的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶；以及

以所述晶种化合物半导体结晶为晶核，沿着所述阻挡层横向生长的横向生长化合物半导体结晶。

4.根据权利要求3所述的半导体基板，

所述横向生长化合物半导体结晶具有：

以所述晶种化合物半导体结晶为核，沿着所述阻挡层横向生长的第1化合物半导体结晶；以及

以所述第1化合物半导体结晶为核，沿着所述阻挡层在与所述第1化合物半导体结晶不同的方向横向生长的第2化合物半导体结晶。

5.根据权利要求3所述的半导体基板，

所述横向生长化合物半导体结晶为3-5族化合物半导体或是2-6族化合物半导体。

6.根据权利要求3所述的半导体基板，

所述阻挡层具有多个所述开口，

与在所述多个开口的各自内部设置的种晶晶格匹配或准晶格匹配的所述化合物半导体不接触于与邻接的所述开口内部设置的种晶晶格匹配或准晶格匹配的所述化合物半导体。

7.根据权利要求6所述的半导体基板，

所述多个开口被等间隔设置。

8.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述种晶，包含结晶生长的Si_xGe_1-x(0≤x＜1)结晶或以500℃以下的温度结晶生长的GaAs。

9.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述种晶与所述化合物半导体的界面，通过气体的P化合物进行表面处理。

10.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述化合物半导体是3-5族化合物半导体或2-6族化合物半导体。

11.根据权利要求10所述的半导体基板，

所述化合物半导体是3-5族化合物半导体，作为3族元素包含Al、Ga、In中的至少1种，作为5族元素含N、P、As、Sb中的至少1种。

12.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述化合物半导体包含由含P的3-5族化合物半导体组成的缓冲层，

所述缓冲层对所述种晶晶格匹配或准晶格匹配。

13.根据权利要求1所述的半导体基板，还具有，

设置在所述Si结晶层中的未被所述种晶所覆盖的部分上的Si半导体器件。

14.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述底板基板是单结晶的Si，

还具有在所述底板基板的所述种晶未被设置的部分中设置的Si半导体器件。

15.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述Si结晶层的形成所述种晶的面，具有从选自(100)面、(110)面、(111)面、结晶学上与(100)面等效的面、结晶学上与(110)面等效的面、和结晶学上与(111)面等效的面的任意一个结晶面倾斜的倾斜角。

16.根据权利要求15所述的半导体基板，

所述倾斜角为6°以下2°以上。

17.根据权利要求1所述的半导体基板，

所述开口底面积为1mm²以下。

18.根据权利要求17所述的半导体基板，

所述底面积为1600μm²以下。

19.根据权利要求18所述的半导体基板，

所述底面积为900μm²以下。