[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
申请号: | 200980107710.1 | 申请日: | 2009-03-02 |
公开(公告)号: | CN101960588A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 吉川则之;福田敏行;古屋敷纯也;丝冈敏昌;宇辰博喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。在由多种材料构成的半导体装置中,在经过将粘合的多种材料切断的工序以进行制造的情况下,在切断面露出多种材料的边界线。在该边界线残留有切断时的内部应力,水分、腐蚀性气体容易侵入。因此,用被覆层覆盖出现在切断面的边界线,以防止水分、气体等侵入。此时,为了能够在基板上附有多个半导体装置的状态下直接一并地形成被覆层,在露出边界线的同时进行不将多个半导体装置彼此切离的不完全切割。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:具有外部端子和元件搭载部的基材;搭载在所述元件搭载部上的半导体元件;电连接所述外部端子和所述半导体元件的连接部;覆盖所述半导体元件和所述连接部的第一树脂;其中,作为所述基材和所述第一树脂的边界面的端部的边界线中、至少存在于所述基材以及所述第一树脂被切断的切断面的部分由被覆层覆盖。
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