[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980107710.1 申请日: 2009-03-02
公开(公告)号: CN101960588A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 吉川则之;福田敏行;古屋敷纯也;丝冈敏昌;宇辰博喜 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法,尤其涉及一种搭载在基材上的半导体元件由树脂覆盖的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置具有在配置有电极的基板上配置半导体元件并以透明保护层将其覆盖的结构。这是因为要保护半导体元件和基板的连接部分、半导体元件本身不受由外界空气中所含的水分引起的腐蚀和尘埃的影响。

作为自以往已知的问题,在将半导体元件模片固定在金属膜上并用树脂将其模制的情况下会产生问题。更具体而言,首先,在将半导体元件模片固定时形成氧化物层。若对该氧化物层直接用树脂进行模制,在树脂和膜或者半导体元件之间将残留有极为容易剥离的氧化物层。

该氧化物层因长期保存将吸收水分。若在后续工序中对半导体装置本身进行例如回流焊接(reflow soldering)的加热工序,会因水分的急剧膨胀而使半导体装置产生空缺、裂缝的缺陷。

为了解决这种问题,在专利文献1中公开一种在半导体装置的表面形成有耐水性的硬化层的电子装置的发明。在该发明中,用银焊料将电子部件芯片密接到引线框上,并通过等离子CVD法在以树脂模制电子部件芯片整体的电子装置(DIP)的表面形成氮化硅膜或者DLC膜,从而防止有机物、氯等腐蚀性气体、水分等侵入芯片内。

专利文献1:日本特开平02-60150号公报。

发明内容

在专利文献1中公开了用树脂将引线框、电子部件整体模制的情况。然而,近年的半导体装置的形式非常具有多样性,完全只用树脂形成外装的结构逐渐消失。

例如,对于在印刷基板上搭载有电子部件的半导体装置等,在印刷基板的表面搭载有半导体元件,并用树脂模制半导体元件和连接电极。

对于这种结构的半导体装置,是在一块基板上制作多个并在最后的工序从基板将其切出。而且,此时,存在可将模制后的树脂和基板同时切断的情形。

另外,即使在引线框具有压料垫和外部端子的所谓引线框型的半导体装置中,也将在压料垫上搭载半导体元件并连同外部端子在内用树脂进行模制。而且,通过同时切断引线框和模制树脂可对各个半导体装置进行切离工序。

这样,在一并切断多种不同材料的工序中,由于各种材料的硬度、粘度不同,所以导致在切断部分残留有应力。在该切断部分,露出这些不同材料的边界线,从而不但存在残留应力而且还形成腐蚀性气体、水分容易渗入的部分。即,在由多种材料构成并且经过将多种材料同时切断的工序的半导体装置中存在问题。

为了解决上述问题,本发明的半导体装置包括:具有外部端子和元件搭载部的基材;搭载在所述元件搭载部上的半导体元件;电连接所述外部端子和所述半导体元件的连接部;覆盖所述半导体元件和所述连接部的第一树脂;其中,作为所述基材和所述第一树脂的边界面的端部的边界线中、至少存在于所述基材以及所述第一树脂都被切断的切断面的部分由被覆层覆盖。

本发明的半导体装置的第一制造方法包括:在具有贯通孔且在该贯通孔形成有外部端子的基板连结体上搭载半导体元件的工序;将所述半导体元件和所述外部端子的一部分电连接的工序;用树脂密封所述半导体元件和所述外部端子的一部分的工序;切削所述基板连结体在厚度方向上的一部分和所述树脂,使作为基板连结体和所述树脂的边界面的端部的边界线重新露出的露出工序X;形成覆盖所述边界线的被覆层的工序;切断在所述露出工序X中未被切削而剩余的所述基板连结体在厚度方向上的剩余部分而使所述基板连结体形成各个基板的工序。

本发明的半导体装置的第二制造方法包括:将半导体元件搭载到作为具有压料垫和外部端子的引线框的基材的所述压料垫上的工序;将所述半导体元件和所述外部端子电连接的工序;用第一树脂密封所述半导体元件和所述外部端子的工序;切削所述外部端子在厚度方向上的一部分和所述第一树脂,使作为所述外部端子和所述第一树脂的边界面的端部的边界线露出的露出工序Y;形成覆盖所述边界线的被覆层的工序;切断在所述露出工序Y中未被切削而剩余的所述外部端子在厚度方向上的剩余部分的工序。

发明效果

本发明的半导体装置是由多种材料形成的半导体装置,由于在存在多种材料的边界线的切断面用被覆层保护边界线,所以能够防止水分、腐蚀性气体从存在于残留有应力的切断面的边界线侵入。即,能够提供对环境的耐候性高的半导体装置。

附图说明

图1是表示本实施方式的半导体装置的结构的示意图,图1(a)是沿A-A’线的剖视图,图1(b)是俯视图,图1(c)是沿B-B’线的剖视图。

图2是表示实施方式的半导体装置的端部的放大图。

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