[发明专利]MOSFET结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910244516.X | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117750A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅极；形成源/漏区；对伪栅极进行选择性刻蚀，直至将要形成沟道的位置；以及在将要形成沟道的位置处外延生长沟道层，并在沟道层上形成栅极，其中，所述沟道层包括高迁移率材料。根据本发明，在形成源/漏区之后，利用高迁移率材料替换器件的沟道，从而可以有效抑制短沟道效应并提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作金属半导体氧化物场效应晶体管的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅极；形成源/漏区；对伪栅极进行选择性刻蚀，直至将要形成沟道的位置；以及在将要形成沟道的位置处外延生长沟道层，并在沟道层上形成栅极，其中，所述沟道层包括高迁移率材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
