[发明专利]MOSFET结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作金属半导体氧化物场效应晶体管的方法，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底上形成伪栅极；

形成源/漏区；

对伪栅极进行选择性刻蚀，直至将要形成沟道的位置；以及

在将要形成沟道的位置处外延生长沟道层，并在沟道层上形成栅极，

其中，所述沟道层包括高迁移率材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述高迁移率材料包括Ge原子百分比为50～100％的SiGe。

3.如权利要求1所述的方法，其中，

该方法还包括：在形成伪栅极之前，在半导体衬底(1001)上形成沟道预备层(1003)；

以及对伪栅极进行选择性刻蚀直至将要形成沟道的位置包括：选择性刻蚀伪栅极，并继续刻蚀沟道预备层(1003)，直至露出半导体衬底(1001)的表面。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述沟道预备层(1003)包括Ge原子百分比为5～15％的SiGe。

5.如权利要求3所述的方法，其中，形成源/漏区包括：

以伪栅极为掩模，进行源/漏延伸区注入；

在伪栅极侧壁形成侧壁间隔物(1009)；

在侧壁间隔物(1009)两侧将要形成源/漏区的部位进行刻蚀，直至进入半导体衬底一定深度；

在刻蚀后的半导体衬底上外延生长源/漏材料层(1010)，选择该源/漏材料层(1010)的材料使得其向沟道层(1013)施加应力；以及

对源/漏材料层(1010)进行掺杂，以形成源/漏区。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述源/漏材料层(1010)包括Ge原子百分比为20～70％的SiGe。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述源/漏材料层(1010)包括C原子百分比为0.2～2％的Si:C。

8.如权利要求5所述的方法，其中，在半导体衬底上形成伪栅极的步骤包括：

在沟道预备层(1003)上依次形成伪栅极绝缘层(1004)、伪栅极主体层(1005)、伪栅极刻蚀停止层(1006)和覆盖层(1007)；以及

对伪栅极主体层(1005)、伪栅极刻蚀停止层(1006)和覆盖层(1007)进行构图，使其成形为伪栅极。

9.如权利要求8所述的方法，其中，对伪栅极进行选择性刻蚀包括：

在形成有伪栅极、源/漏区的半导体衬底上依次沉积抛光停止层(1011)和刻蚀停止层(1012)；

对刻蚀停止层(1012)进行抛光，直至到达抛光停止层(1011)；

对刻蚀停止层(1012)进行进一步回蚀；

以伪栅极刻蚀停止层(1006)和刻蚀停止层(1012)为刻蚀停止层，刻蚀掉覆盖层(1007)；

依次刻蚀伪栅极刻蚀停止层(1006)、伪栅极主体层(1005)、伪栅极绝缘层(1004)、沟道预备层(1003)，直至露出半导体衬底(1001)的表面。

10.如权利要求9所述的方法，其中，外延生长沟道层包括：

在露出的半导体衬底(1001)表面上外延生长沟道层(1013)。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该方法还包括：

在外延生长沟道层(1013)之后且在沟道层上形成栅极之前，进行浅阱注入。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该方法还包括：在外延生长沟道层(1013)之前，进行浅阱注入。

13.如权利要求10所述的方法，其中，在沟道层上形成栅极包括：

在沟道层上沉积高k材料层(1014)；以及

在高k材料层上沉积金属(1015)，以形成金属栅极。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述高k材料包括Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、La₂O₃、ZAZ、TiO₂和STO组成的组中至少一种。