[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910171382.3 申请日: 2009-08-31
公开(公告)号: CN101667564A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 金子纪彦 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈 萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。其中,该半导体装置在第1绝缘膜上将第1布线排列为其连接焊盘部形成外侧的环状,使第2布线通过第1布线的连接焊盘部之间而延伸,并将其连接焊盘部排列为在比外侧的环状靠内侧形成至少1个环状,在包括第1及第2布线上的第1绝缘膜上,设置在与第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部的第2绝缘膜,在经由第2绝缘膜的开口部而露出的第1及第2布线的连接焊盘部上表面以及其周围的第2绝缘膜上,设置有具有比第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸的柱状电极。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有:半导体基板,在一个面形成有集成电路;多个连接焊盘,沿着上述半导体基板的至少相对置的一侧边,分别与上述集成电路连接;第1绝缘膜,设置在上述半导体基板的上方;多个第1布线,设置在上述第1绝缘膜上,分别排列为连接焊盘部形成外侧的环状;第2布线,通过上述第1布线的连接焊盘部之间而延伸,排列为连接焊盘部在上述外侧的环状的内侧形成至少1个环状;第2绝缘膜,设置在包括上述第1及第2布线上的上述第1绝缘膜上,在与上述第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部;以及柱状电极,设置在经由上述第2绝缘膜的开口部露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上表面及其周围的上述第2绝缘膜的上方,具有比上述第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸。
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