[发明专利]半导体中浅槽的制作方法无效
| 申请号： | 200910051545.4 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101556934A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张雄;张博;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/283;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将光刻胶形成图案化的光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过氮化硅硬掩膜层停在多晶硅栅层上；除去图案化光刻胶层；以及以氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。本发明提出的工艺，因为进行了两次小规模的蚀刻，并且利用了氮化硅硬掩膜层进行第二次蚀刻而形成浅槽，有引入更少的蚀刻负载，有着更好的线宽控制，有利于器件尺寸的进一步缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 中浅槽 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；在上述氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将上述光刻胶形成图案化的光刻胶层；以上述图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过上述氮化硅硬掩膜层停在上述多晶硅栅层上；除去上述图案化光刻胶层；以及以上述氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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