[发明专利]半导体中浅槽的制作方法

权利要求书

1.一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：

在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；

在上述氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将上述光刻胶形成图案化的光刻胶层；

以上述图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过上述氮化硅硬掩膜层停在上述多晶硅栅层上；

除去上述图案化光刻胶层；以及

以上述氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。

2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征是，上述栅氧化层的材料是氧化硅，形成方法为热氧化法。

3.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征是，上述氮化硅硬掩膜层的形成方法为化学气相沉积法。

4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征是，形成上述图案化的光刻胶层是利用了对光刻胶进行曝光、显影的方法。